SP6LI超低電感SiC MOSFET電源模塊的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2021/3/12 12:46:47 訪問次數(shù):178
Microchip的加速碳化硅（SiC）開發(fā)工具包包括快速優(yōu)化Microchip SP6LI 低電感SiC模塊和系統(tǒng)系列性能所需的硬件和軟件元素。
該新工具使設(shè)計(jì)人員可以利用AgileSwitch®智能配置工具（ICT）和設(shè)備編程器，通過(guò)軟件升級(jí)來(lái)調(diào)整系統(tǒng)性能，無(wú)需焊接。
Microchip的SP6LI 超低電感SiC MOSFET電源模塊在80°C的外殼溫度下具有700V，538A至1200V，394A至754A的相腳拓?fù)洹?/span>
核心處理器C28x內(nèi)核規(guī)格32-位速度90MHz連接能力CANbus，I2C，McBSP，SCI，SPI，UART/USART外設(shè)欠壓檢測(cè)/復(fù)位，DMA，POR，PWM，WDTI/O 數(shù)54程序存儲(chǔ)容量256KB（128K x 16）程序存儲(chǔ)器類型閃存EEPROM 容量-RAM 大小50K x 16電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)1.71V ~ 1.995V數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器A/D 16x12b振蕩器類型內(nèi)部工作溫度-40°C ~ 105°C（TA）安裝類型表面貼裝型封裝/外殼100-LQFP供應(yīng)商器件封裝100-LQFP（14x14）
這些傳感器的集成導(dǎo)體的電阻損耗特別低：SOIC-8為0.9mΩ，SOIC-16則為0.75mΩ。根據(jù)差分測(cè)量原理，不需要對(duì)雜散場(chǎng)進(jìn)行屏蔽。
通過(guò)結(jié)合內(nèi)部和外部監(jiān)控機(jī)制，確保優(yōu)化雙重片上過(guò)電流檢測(cè)。內(nèi)部OCD閾值的響應(yīng)時(shí)間僅為2μs，外部響應(yīng)時(shí)間為10μs。
(素材來(lái)源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
Microchip的加速碳化硅（SiC）開發(fā)工具包包括快速優(yōu)化Microchip SP6LI 低電感SiC模塊和系統(tǒng)系列性能所需的硬件和軟件元素。
該新工具使設(shè)計(jì)人員可以利用AgileSwitch®智能配置工具（ICT）和設(shè)備編程器，通過(guò)軟件升級(jí)來(lái)調(diào)整系統(tǒng)性能，無(wú)需焊接。
Microchip的SP6LI 超低電感SiC MOSFET電源模塊在80°C的外殼溫度下具有700V，538A至1200V，394A至754A的相腳拓?fù)洹?/span>
核心處理器C28x內(nèi)核規(guī)格32-位速度90MHz連接能力CANbus，I2C，McBSP，SCI，SPI，UART/USART外設(shè)欠壓檢測(cè)/復(fù)位，DMA，POR，PWM，WDTI/O 數(shù)54程序存儲(chǔ)容量256KB（128K x 16）程序存儲(chǔ)器類型閃存EEPROM 容量-RAM 大小50K x 16電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)1.71V ~ 1.995V數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器A/D 16x12b振蕩器類型內(nèi)部工作溫度-40°C ~ 105°C（TA）安裝類型表面貼裝型封裝/外殼100-LQFP供應(yīng)商器件封裝100-LQFP（14x14）
這些傳感器的集成導(dǎo)體的電阻損耗特別低：SOIC-8為0.9mΩ，SOIC-16則為0.75mΩ。根據(jù)差分測(cè)量原理，不需要對(duì)雜散場(chǎng)進(jìn)行屏蔽。
通過(guò)結(jié)合內(nèi)部和外部監(jiān)控機(jī)制，確保優(yōu)化雙重片上過(guò)電流檢測(cè)。內(nèi)部OCD閾值的響應(yīng)時(shí)間僅為2μs，外部響應(yīng)時(shí)間為10μs。
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