第四代SiC FET先進(jìn)技術(shù)平臺(tái)推出四款首批器件。

作為目前市場(chǎng)上首批也是唯一的750V SiC FET，這四款第四代器件基于領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)（FoM）實(shí)現(xiàn)了新的性能水平，從而使汽車(chē)、工業(yè)充電、電信整流器、數(shù)據(jù)中心功率因數(shù)校正（PFC）和 DC-DC轉(zhuǎn)換以及可再生能源和儲(chǔ)能領(lǐng)域的電源應(yīng)用都能夠從中受益。

這些新器件將聯(lián)合碳化硅的產(chǎn)品擴(kuò)展到了750V，這樣就可以為設(shè)計(jì)人員提供更多的裕量并減少其設(shè)計(jì)約束。同時(shí)，這一VDS額定值的提高，也使這些FET有利于400/500V總線(xiàn)電壓應(yīng)用。

制造商: ISSI

產(chǎn)品種類(lèi): NOR閃存

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOP-8

系列: IS25LP064D

存儲(chǔ)容量: 64 Mbit

電源電壓-最小: 2.3 V

電源電壓-最大: 3.6 V

有源讀取電流（最大值）: 10 mA

接口類(lèi)型: QPI, SPI

最大時(shí)鐘頻率: 133 MHz

組織: 8 M x 8

數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度: 8 bit

定時(shí)類(lèi)型: Synchronous

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 105 C

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

商標(biāo): ISSI

電源電流—最大值: 10 mA

產(chǎn)品類(lèi)型: NOR Flash

工廠(chǎng)包裝數(shù)量: 2000

子類(lèi)別: Memory & Data Storage

基于平面波導(dǎo)技術(shù)的新型光學(xué)模塊,這項(xiàng)新技術(shù)結(jié)合了激光組件通過(guò)平面路徑發(fā)出的光，可以在超小型激光模塊中實(shí)現(xiàn)約1620萬(wàn)種顏色的全彩顯示。

從新模塊發(fā)出的激光束被可視化到MEMS反射鏡上，然后從透鏡反射回來(lái)并直接投射到眼睛的視網(wǎng)膜上。與人們看到真實(shí)物體的方式不同，直接投射到視網(wǎng)膜上的圖像將始終清晰，而無(wú)需調(diào)整焦點(diǎn)。

當(dāng)用于在環(huán)境視圖中將圖像進(jìn)行分層的AR眼鏡中時(shí)，所有元素都保持聚焦，從而可以提供更逼真、更優(yōu)質(zhì)的AR體驗(yàn)。

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