與傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤相比，致鈦木星10移動固態(tài)硬盤具有更高的安全性和可靠性。

致鈦木星10移動固態(tài)硬盤已通過110厘米6向跌落測試、500G沖擊測試、80-2000Hz/20Gp震動測試、10000次插拔測試等多項(xiàng)測試。

同時(shí)，致鈦木星10移動固態(tài)硬盤基于長江存儲Xtacking®架構(gòu)的64層TLC 3D NAND而打造。

Xtacking®架構(gòu)是長江存儲的核心專利和技術(shù)品牌，代表著長江存儲在3D NAND存儲技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新進(jìn)取和卓越貢獻(xiàn)，是長江存儲面向企業(yè)客戶、消費(fèi)者等推廣3D NAND產(chǎn)品的關(guān)鍵所在。

制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類:NOR閃存 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-56 系列: 存儲容量:256 Mbit 電源電壓-最小:2.3 V 電源電壓-最大:3.6 V 有源讀取電流（最大值）:50 mA 接口類型:Parallel 最大時(shí)鐘頻率:40 MHz 組織:16 M x 16 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 定時(shí)類型:Asynchronous, Synchronous 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 存儲類型:NOR 速度:105 ns 類型:Boot Block 商標(biāo):Micron 電源電流—最大值:50 mA 產(chǎn)品類型:NOR Flash 標(biāo)準(zhǔn):Common Flash Interface (CFI) 576 子類別:Memory & Data Storage

GDT25系列設(shè)計(jì)的速度和堅(jiān)固性展示出5 mm過電壓電涌放電器的新標(biāo)準(zhǔn)，特別是有著7仟安培，8/20微秒波形的耐浪涌電流額定值以及一秒可以承受7安培交流放電電流為特色。

電動汽車和工業(yè)電子設(shè)備中各種DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)浜烷T驅(qū)動器電路的全新絕緣型SMD變壓器。

新系列元件有四種型號可選，覆蓋 1 : 0.76 到 4 : 1 的匝數(shù)比范圍（具體視型號而定），其中繞組基礎(chǔ)絕緣型的工作電壓為500 VRMS，增強(qiáng)絕緣型的工作電壓則為300 VRMS。

憑借高度自動化的生產(chǎn)工藝和AOI檢驗(yàn)，我們可確保了所有元件均具有出色的可重復(fù)性和可靠性。

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