150V耐壓GaN HEMT*1（以下稱“GaN器件”）的,高達8V的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2技術(shù)。

在服務(wù)器系統(tǒng)等領(lǐng)域，由于IoT設(shè)備的需求日益增長，功率轉(zhuǎn)換效率的提升和設(shè)備的小型化已經(jīng)成為重要的社會課題之一，而這就要求功率元器件的進一步發(fā)展與進步。

此外，還配合本技術(shù)開發(fā)出一種專用封裝，采用這種封裝不僅可以通過更低的寄生電感更好地發(fā)揮出器件的性能，還使產(chǎn)品更易于在電路板上安裝并具有更出色散熱性，從而可以使現(xiàn)有硅器件的替換和安裝工序中的操作更輕松。

制造商:Intel產(chǎn)品種類:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列RoHS: 產(chǎn)品:Cyclone V E系列:邏輯元件數(shù)量:301000 LE自適應(yīng)邏輯模塊 - ALM:113560 ALM嵌入式內(nèi)存:11.91 Mbit輸入/輸出端數(shù)量:336 I/O工作電源電壓:1.1 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 70 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:FBGA-672封裝:Tray商標:Intel / Altera內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:1717 kbit最大工作頻率:800 MHz濕度敏感性:Yes邏輯數(shù)組塊數(shù)量——LAB:11356 LAB產(chǎn)品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array40子類別:Programmable Logic ICs總內(nèi)存:13917 kbit商標名:零件號別名:965942

這款堅固的封閉型產(chǎn)品具有內(nèi)置過熱、過流、過壓和輸出短路保護，從而保護設(shè)備及其供電的任何負載。

ASB75產(chǎn)品的基板工作溫度范圍為-40°C至+85°C，適用于各種應(yīng)用環(huán)境，而全封裝提高了惡劣環(huán)境和需要堅固設(shè)備的應(yīng)用中的可靠性。

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