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PLD器件斷路器和安全開(kāi)關(guān)以及現(xiàn)場(chǎng)總線解決方案

發(fā)布時(shí)間:2021/4/28 20:13:25 訪問(wèn)次數(shù):952

超低功耗非易失PLD器件,共有六個(gè)器件,查找表(LUT)從256到6864.此外,基于LUT,低成本可編邏輯這些器件具有嵌入?yún)^(qū)塊RAM(EBR),分布式RAM,用戶閃存(UFM),鎖相環(huán)(PLL),支持預(yù)工程源同步I/O,支持先進(jìn)的配置包括雙引導(dǎo)功能和通用功能的硬化版本包括SPI控制器,I2C 控制器和計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器.

這些特性使得這些器件可用在低成本量大的消費(fèi)類和系統(tǒng)應(yīng)用.

MachXO2系列產(chǎn)品采用65nm非易失低功耗工藝,器件的架構(gòu)有幾個(gè)特性如可編低擺動(dòng)差分I/O和能夠關(guān)斷I/O 組(bank),片上PLL和動(dòng)態(tài)振蕩器.

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續(xù)漏極電流: 95 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 32 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 83 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長(zhǎng)度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S

下降時(shí)間: 5 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 7 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 19 ns

典型接通延遲時(shí)間: 12 ns

零件號(hào)別名: BSC052N08NS5 SP001232632

單位重量: 506.600 mg

這些特性有助管理靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗,因此所有系列產(chǎn)品都有低靜態(tài)功耗.待機(jī)功耗低到22 μW.

SR接線箱在推向市場(chǎng)之后,SR系列一開(kāi)始將提供幾種版本的遠(yuǎn)程I/O機(jī)柜,能滿足石油和天然氣、化學(xué)和制藥行業(yè)的需求。

這些版本將通過(guò)其他產(chǎn)品的不斷補(bǔ)充而得到加強(qiáng),例如接線箱和操作站、控制單元、斷路器和安全開(kāi)關(guān)以及現(xiàn)場(chǎng)總線解決方案,這樣用戶將來(lái)可以從完整的產(chǎn)品組合中受益。

SR系列,進(jìn)一步鞏固了其作為過(guò)程自動(dòng)化專業(yè)領(lǐng)域的防爆設(shè)備供應(yīng)商的地位。


(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

超低功耗非易失PLD器件,共有六個(gè)器件,查找表(LUT)從256到6864.此外,基于LUT,低成本可編邏輯這些器件具有嵌入?yún)^(qū)塊RAM(EBR),分布式RAM,用戶閃存(UFM),鎖相環(huán)(PLL),支持預(yù)工程源同步I/O,支持先進(jìn)的配置包括雙引導(dǎo)功能和通用功能的硬化版本包括SPI控制器,I2C 控制器和計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器.

這些特性使得這些器件可用在低成本量大的消費(fèi)類和系統(tǒng)應(yīng)用.

MachXO2系列產(chǎn)品采用65nm非易失低功耗工藝,器件的架構(gòu)有幾個(gè)特性如可編低擺動(dòng)差分I/O和能夠關(guān)斷I/O 組(bank),片上PLL和動(dòng)態(tài)振蕩器.

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續(xù)漏極電流: 95 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 32 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 83 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長(zhǎng)度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S

下降時(shí)間: 5 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 7 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 19 ns

典型接通延遲時(shí)間: 12 ns

零件號(hào)別名: BSC052N08NS5 SP001232632

單位重量: 506.600 mg

這些特性有助管理靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗,因此所有系列產(chǎn)品都有低靜態(tài)功耗.待機(jī)功耗低到22 μW.

SR接線箱在推向市場(chǎng)之后,SR系列一開(kāi)始將提供幾種版本的遠(yuǎn)程I/O機(jī)柜,能滿足石油和天然氣、化學(xué)和制藥行業(yè)的需求。

這些版本將通過(guò)其他產(chǎn)品的不斷補(bǔ)充而得到加強(qiáng),例如接線箱和操作站、控制單元、斷路器和安全開(kāi)關(guān)以及現(xiàn)場(chǎng)總線解決方案,這樣用戶將來(lái)可以從完整的產(chǎn)品組合中受益。

SR系列,進(jìn)一步鞏固了其作為過(guò)程自動(dòng)化專業(yè)領(lǐng)域的防爆設(shè)備供應(yīng)商的地位。


(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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