InnoSwitch™3-Pro系列是數(shù)字控制離線CV/CC QR反激開關器,集成了高壓開關,同步整流和FluxLink反饋,極大簡化了全可編高效電源特別是用在緊湊空間的電源的開發(fā)和制造.

器件通過I2C接口具有數(shù)控制的動態(tài)調(diào)整電源電壓和電流,遠程電源狀態(tài)和故障監(jiān)測,全套的可配置的保護特性,采用PowiGaN™技術無需散熱器可達高達100W功率(INN3378C,INN3379C和INN3370C).

器件具有增強的絕緣性能,絕緣電壓大于4000VAC,100%產(chǎn)品HIPOT兼容測試,具有UL1577和TUV(EN60950和EN62368)安全認證.

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制造商:    Infineon

產(chǎn)品種類:    MOSFET

RoHS:    詳細信息

技術:    Si

安裝風格:    SMD/SMT

封裝 / 箱體:    TDSON-8

晶體管極性:    N-Channel

通道數(shù)量:    1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:    100 V

Id-連續(xù)漏極電流:    63 A

Rds On-漏源導通電阻:    10.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:    3.5 V

Qg-柵極電荷:    35 nC

最小工作溫度:    - 55 C

最大工作溫度:    + 150 C

Pd-功率耗散:    78 W

通道模式:    Enhancement

商標名:    OptiMOS

封裝:    Cut Tape

封裝:    MouseReel

封裝:    Reel

配置:   Single

高度:   1.27 mm

長度:   5.9 mm

系列:   OptiMOS 3

晶體管類型:   1 N-Channel

寬度:   5.15 mm

商標:   Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值:   29 S

下降時間:   5 ns

產(chǎn)品類型:   MOSFET

上升時間:   7 ns

工廠包裝數(shù)量:   5000

子類別:   MOSFETs

典型關閉延遲時間:   19 ns

典型接通延遲時間:   12 ns

零件號別名:  SP000778132 BSC19N1NS3GXT BSC109N10NS3GATMA1

單位重量:  300 mg

控制器具有多種故障保護電路以防止過流(OCP),輸出過壓(OVP),輸入UVLO和熱關斷.

取樣2.0GSPS時每路的功耗為90mW,通路間串擾為90dB.器件工作溫度−40C到+85C.主要用在毫米波成像,電子束成形和相陣列,多路寬帶接收器和電子支持測量.

開關頻率可通過外接電阻設定內(nèi)部振蕩器頻率來控制或和外部時鐘同步來調(diào)整.

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