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Qspeed升壓二極管超過(guò)85%的端到端系統(tǒng)效率提供超高集成度

發(fā)布時(shí)間:2021/5/1 15:42:18 訪問(wèn)次數(shù):993

Qspeed升壓二極管針對(duì)連續(xù)導(dǎo)通模式PFC操作進(jìn)行了優(yōu)化,具有非常低的反向恢復(fù)損耗,其性能接近碳化硅器件,卻不會(huì)帶來(lái)成本的增加。

封裝內(nèi)部集成了QSpeed低Qrr升壓二極管的HiperPFS-4功率因數(shù)校正(PFC)控制器IC.

EU從站系列產(chǎn)品線得以完美補(bǔ)足,可提升自動(dòng)組裝、測(cè)試和檢查設(shè)備的性能,如手機(jī)玻璃屏檢測(cè)、電池組裝、相機(jī)鏡頭組裝和測(cè)試、點(diǎn)膠設(shè)備和檢查設(shè)備等。

在測(cè)試應(yīng)用中,EtherCAT系統(tǒng)可節(jié)省高達(dá)10%的總體擁有成本(TCO),并提高30%的生產(chǎn)率。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類(lèi):    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    80 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    95 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    7.6 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2.2 V    

Qg-柵極電荷:    32 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    83 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長(zhǎng)度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶體管類(lèi)型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   38 S  

下降時(shí)間:   5 ns  

產(chǎn)品類(lèi)型:   MOSFET  

上升時(shí)間:   7 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類(lèi)別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   19 ns  

典型接通延遲時(shí)間:   12 ns  

零件號(hào)別名:  BSC052N08NS5 SP001232632  

單位重量:  506.600 mg

高通5G移動(dòng)參考設(shè)計(jì)提供的交鑰匙解決方案,旨在幫助智能手機(jī)OEM在旗艦及中端機(jī)型中實(shí)現(xiàn)低成本的無(wú)線快充,并具有多次可編程(MTP)和OTA更新功能,以簡(jiǎn)化軟件開(kāi)發(fā)與Qi認(rèn)證流程。

瑞薩解決方案以超過(guò)85%的端到端系統(tǒng)效率提供超高集成度,有助于將無(wú)線充電技術(shù)的覆蓋范圍擴(kuò)展至更廣泛的客戶群體,并簡(jiǎn)化添加無(wú)線充電功能的流程。

瑞薩高度集成的30W技術(shù)與高通尖端的5G技術(shù)相結(jié)合,旨在為OEM帶來(lái)具備高效無(wú)線充電功能的交鑰匙解決方案,為下一代中端智能手機(jī)提供無(wú)線快充技術(shù)。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

Qspeed升壓二極管針對(duì)連續(xù)導(dǎo)通模式PFC操作進(jìn)行了優(yōu)化,具有非常低的反向恢復(fù)損耗,其性能接近碳化硅器件,卻不會(huì)帶來(lái)成本的增加。

封裝內(nèi)部集成了QSpeed低Qrr升壓二極管的HiperPFS-4功率因數(shù)校正(PFC)控制器IC.

EU從站系列產(chǎn)品線得以完美補(bǔ)足,可提升自動(dòng)組裝、測(cè)試和檢查設(shè)備的性能,如手機(jī)玻璃屏檢測(cè)、電池組裝、相機(jī)鏡頭組裝和測(cè)試、點(diǎn)膠設(shè)備和檢查設(shè)備等。

在測(cè)試應(yīng)用中,EtherCAT系統(tǒng)可節(jié)省高達(dá)10%的總體擁有成本(TCO),并提高30%的生產(chǎn)率。

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類(lèi):    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    80 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    95 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    7.6 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2.2 V    

Qg-柵極電荷:    32 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    83 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長(zhǎng)度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶體管類(lèi)型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   38 S  

下降時(shí)間:   5 ns  

產(chǎn)品類(lèi)型:   MOSFET  

上升時(shí)間:   7 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類(lèi)別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   19 ns  

典型接通延遲時(shí)間:   12 ns  

零件號(hào)別名:  BSC052N08NS5 SP001232632  

單位重量:  506.600 mg

高通5G移動(dòng)參考設(shè)計(jì)提供的交鑰匙解決方案,旨在幫助智能手機(jī)OEM在旗艦及中端機(jī)型中實(shí)現(xiàn)低成本的無(wú)線快充,并具有多次可編程(MTP)和OTA更新功能,以簡(jiǎn)化軟件開(kāi)發(fā)與Qi認(rèn)證流程。

瑞薩解決方案以超過(guò)85%的端到端系統(tǒng)效率提供超高集成度,有助于將無(wú)線充電技術(shù)的覆蓋范圍擴(kuò)展至更廣泛的客戶群體,并簡(jiǎn)化添加無(wú)線充電功能的流程。

瑞薩高度集成的30W技術(shù)與高通尖端的5G技術(shù)相結(jié)合,旨在為OEM帶來(lái)具備高效無(wú)線充電功能的交鑰匙解決方案,為下一代中端智能手機(jī)提供無(wú)線快充技術(shù)。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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