Qspeed升壓二極管超過(guò)85%的端到端系統(tǒng)效率提供超高集成度
發(fā)布時(shí)間:2021/5/1 15:42:18 訪問(wèn)次數(shù):993
Qspeed升壓二極管針對(duì)連續(xù)導(dǎo)通模式PFC操作進(jìn)行了優(yōu)化,具有非常低的反向恢復(fù)損耗,其性能接近碳化硅器件,卻不會(huì)帶來(lái)成本的增加。
封裝內(nèi)部集成了QSpeed低Qrr升壓二極管的HiperPFS-4功率因數(shù)校正(PFC)控制器IC.
EU從站系列產(chǎn)品線得以完美補(bǔ)足,可提升自動(dòng)組裝、測(cè)試和檢查設(shè)備的性能,如手機(jī)玻璃屏檢測(cè)、電池組裝、相機(jī)鏡頭組裝和測(cè)試、點(diǎn)膠設(shè)備和檢查設(shè)備等。
在測(cè)試應(yīng)用中,EtherCAT系統(tǒng)可節(jié)省高達(dá)10%的總體擁有成本(TCO),并提高30%的生產(chǎn)率。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續(xù)漏極電流: 95 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
Qg-柵極電荷: 32 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 5
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S
下降時(shí)間: 5 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 7 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 19 ns
典型接通延遲時(shí)間: 12 ns
零件號(hào)別名: BSC052N08NS5 SP001232632
單位重量: 506.600 mg
高通5G移動(dòng)參考設(shè)計(jì)提供的交鑰匙解決方案,旨在幫助智能手機(jī)OEM在旗艦及中端機(jī)型中實(shí)現(xiàn)低成本的無(wú)線快充,并具有多次可編程(MTP)和OTA更新功能,以簡(jiǎn)化軟件開(kāi)發(fā)與Qi認(rèn)證流程。
瑞薩解決方案以超過(guò)85%的端到端系統(tǒng)效率提供超高集成度,有助于將無(wú)線充電技術(shù)的覆蓋范圍擴(kuò)展至更廣泛的客戶群體,并簡(jiǎn)化添加無(wú)線充電功能的流程。
瑞薩高度集成的30W技術(shù)與高通尖端的5G技術(shù)相結(jié)合,旨在為OEM帶來(lái)具備高效無(wú)線充電功能的交鑰匙解決方案,為下一代中端智能手機(jī)提供無(wú)線快充技術(shù)。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
Qspeed升壓二極管針對(duì)連續(xù)導(dǎo)通模式PFC操作進(jìn)行了優(yōu)化,具有非常低的反向恢復(fù)損耗,其性能接近碳化硅器件,卻不會(huì)帶來(lái)成本的增加。
封裝內(nèi)部集成了QSpeed低Qrr升壓二極管的HiperPFS-4功率因數(shù)校正(PFC)控制器IC.
EU從站系列產(chǎn)品線得以完美補(bǔ)足,可提升自動(dòng)組裝、測(cè)試和檢查設(shè)備的性能,如手機(jī)玻璃屏檢測(cè)、電池組裝、相機(jī)鏡頭組裝和測(cè)試、點(diǎn)膠設(shè)備和檢查設(shè)備等。
在測(cè)試應(yīng)用中,EtherCAT系統(tǒng)可節(jié)省高達(dá)10%的總體擁有成本(TCO),并提高30%的生產(chǎn)率。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續(xù)漏極電流: 95 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
Qg-柵極電荷: 32 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 5
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S
下降時(shí)間: 5 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 7 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 19 ns
典型接通延遲時(shí)間: 12 ns
零件號(hào)別名: BSC052N08NS5 SP001232632
單位重量: 506.600 mg
高通5G移動(dòng)參考設(shè)計(jì)提供的交鑰匙解決方案,旨在幫助智能手機(jī)OEM在旗艦及中端機(jī)型中實(shí)現(xiàn)低成本的無(wú)線快充,并具有多次可編程(MTP)和OTA更新功能,以簡(jiǎn)化軟件開(kāi)發(fā)與Qi認(rèn)證流程。
瑞薩解決方案以超過(guò)85%的端到端系統(tǒng)效率提供超高集成度,有助于將無(wú)線充電技術(shù)的覆蓋范圍擴(kuò)展至更廣泛的客戶群體,并簡(jiǎn)化添加無(wú)線充電功能的流程。
瑞薩高度集成的30W技術(shù)與高通尖端的5G技術(shù)相結(jié)合,旨在為OEM帶來(lái)具備高效無(wú)線充電功能的交鑰匙解決方案,為下一代中端智能手機(jī)提供無(wú)線快充技術(shù)。

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