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EFG3和FS兩個系列在更寬的頻率范圍高達40GHz頻段內(nèi)工作

發(fā)布時間:2021/5/21 8:04:42 訪問次數(shù):316

FLEX SUPPRESSOR是種超薄柔性噪聲抑制片,旨在減少電磁干擾(EMI)以及其他噪聲干擾。

現(xiàn)在,其EFG3和FS兩個系列可在更寬的頻率范圍(高達40GHz頻段)內(nèi)工作,從而提高了FLEX SUPPRESSOR在面向商業(yè)、電信和汽車應(yīng)用的5G聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和電子產(chǎn)品中的性能。

FLEX SUPPRESSOR片材采用基美電子創(chuàng)新、專有的EMI吸收材料制成,從而有助于防止噪聲引起的損傷、故障以及整個系統(tǒng)的故障產(chǎn)生。

這種柔性聚合物材料所含有的微米級磁性金屬薄片,可吸收有害的輻射噪聲并將其轉(zhuǎn)化為熱量。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:4.1 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:110 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:700 mV Qg-柵極電荷:6.6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 長度:3.04 mm 系列:ZXMN2A1 晶體管類型:1 N-Channel 類型:MOSFET 寬度:1.4 mm 商標:Diodes Incorporated 下降時間:9.5 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:5.3 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:16.6 ns 典型接通延遲時間:4 ns 單位重量:8 mg

PPS可以在3.3V-11V之間以20mV步長逐步調(diào)整輸出電壓值,50mA步長逐步調(diào)整限流值,以最大程度地減小充電期間的功率變換損耗。

對于這些應(yīng)用,同業(yè)競品最高容量僅為1.5nF,Y1額定電壓為300 VAC,且沒有DC額定電壓值。SMDY1系列提高了耐濕性,達到IIB類濕度等級(符合IEC60384-14附件I要求),潮濕敏感度達到2a級。

作為基于MCU的解決方案,該參考設(shè)計為用戶提供了更多的設(shè)計靈活性,可以實現(xiàn)其他的客戶定制應(yīng)用層,引入USB Power Delivery標準的升級改進功能。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

FLEX SUPPRESSOR是種超薄柔性噪聲抑制片,旨在減少電磁干擾(EMI)以及其他噪聲干擾。

現(xiàn)在,其EFG3和FS兩個系列可在更寬的頻率范圍(高達40GHz頻段)內(nèi)工作,從而提高了FLEX SUPPRESSOR在面向商業(yè)、電信和汽車應(yīng)用的5G聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和電子產(chǎn)品中的性能。

FLEX SUPPRESSOR片材采用基美電子創(chuàng)新、專有的EMI吸收材料制成,從而有助于防止噪聲引起的損傷、故障以及整個系統(tǒng)的故障產(chǎn)生。

這種柔性聚合物材料所含有的微米級磁性金屬薄片,可吸收有害的輻射噪聲并將其轉(zhuǎn)化為熱量。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:4.1 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:110 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:700 mV Qg-柵極電荷:6.6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 長度:3.04 mm 系列:ZXMN2A1 晶體管類型:1 N-Channel 類型:MOSFET 寬度:1.4 mm 商標:Diodes Incorporated 下降時間:9.5 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:5.3 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:16.6 ns 典型接通延遲時間:4 ns 單位重量:8 mg

PPS可以在3.3V-11V之間以20mV步長逐步調(diào)整輸出電壓值,50mA步長逐步調(diào)整限流值,以最大程度地減小充電期間的功率變換損耗。

對于這些應(yīng)用,同業(yè)競品最高容量僅為1.5nF,Y1額定電壓為300 VAC,且沒有DC額定電壓值。SMDY1系列提高了耐濕性,達到IIB類濕度等級(符合IEC60384-14附件I要求),潮濕敏感度達到2a級。

作為基于MCU的解決方案,該參考設(shè)計為用戶提供了更多的設(shè)計靈活性,可以實現(xiàn)其他的客戶定制應(yīng)用層,引入USB Power Delivery標準的升級改進功能。


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