開態(tài)(ON)電阻和芯片尺寸保證低的電容和柵極電容
發(fā)布時間:2021/6/3 13:25:14 訪問次數(shù):705
900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.和硅器件相比,SiC MOSFET具有優(yōu)越的開關(guān)性能和更高的可靠性.更低的開態(tài)(ON)電阻和緊湊的芯片尺寸,保證有更低的電容和柵極電容.
SiC MOSFET系統(tǒng)具有最高的效率,更快的工作頻率,較高的功率密度,從而降低了EMI和系統(tǒng)尺寸.
板上輔助電源系統(tǒng)提供了板上所需的所有電源,從而不需要板外DC電源.同時還提供靈活的控制接口,以適應(yīng)不同的控制器板.
主要用在汽車車載充電器和EV/HEV汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器.
制造商:Panasonic 產(chǎn)品種類:鋁質(zhì)電解電容器-SMD RoHS: 詳細(xì)信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:HB-V 產(chǎn)品:Aluminum Electrolytic Capacitors 電容:220 uF 電壓額定值 DC:4 VDC 容差:20 % 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 105 C 直徑:6.3 mm 長度:5.5 mm 高度:7.8 mm 壽命:2000 Hour 紋波電流:82 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 商標(biāo):Panasonic 產(chǎn)品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:Capacitors 單位重量:320 mg
模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)和用于提供各種數(shù)字控制選項的通用輸入/輸出 (GPIO)接口.
器件的中心頻率為75 MHz至6000 MHz,最大接收器帶寬為200 MHz,最大發(fā)射器大信號帶寬為200 MHz,最大發(fā)射器頻率合成帶寬為450 MHz和最大觀測接收器帶寬為450 MHz.
具有完全集成式獨立小數(shù)N分頻射頻頻率合成器.器件有1.0V,1.3V和1.8V穩(wěn)壓器供電.
采用14 mm × 14 mm289引腳芯片級球柵陣列 (CSP_BGA) 封裝.主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大規(guī)模 MIMO,宏蜂窩和小型蜂窩基站.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.和硅器件相比,SiC MOSFET具有優(yōu)越的開關(guān)性能和更高的可靠性.更低的開態(tài)(ON)電阻和緊湊的芯片尺寸,保證有更低的電容和柵極電容.
SiC MOSFET系統(tǒng)具有最高的效率,更快的工作頻率,較高的功率密度,從而降低了EMI和系統(tǒng)尺寸.
板上輔助電源系統(tǒng)提供了板上所需的所有電源,從而不需要板外DC電源.同時還提供靈活的控制接口,以適應(yīng)不同的控制器板.
主要用在汽車車載充電器和EV/HEV汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器.
制造商:Panasonic 產(chǎn)品種類:鋁質(zhì)電解電容器-SMD RoHS: 詳細(xì)信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:HB-V 產(chǎn)品:Aluminum Electrolytic Capacitors 電容:220 uF 電壓額定值 DC:4 VDC 容差:20 % 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 105 C 直徑:6.3 mm 長度:5.5 mm 高度:7.8 mm 壽命:2000 Hour 紋波電流:82 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 商標(biāo):Panasonic 產(chǎn)品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:Capacitors 單位重量:320 mg
模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)和用于提供各種數(shù)字控制選項的通用輸入/輸出 (GPIO)接口.
器件的中心頻率為75 MHz至6000 MHz,最大接收器帶寬為200 MHz,最大發(fā)射器大信號帶寬為200 MHz,最大發(fā)射器頻率合成帶寬為450 MHz和最大觀測接收器帶寬為450 MHz.
具有完全集成式獨立小數(shù)N分頻射頻頻率合成器.器件有1.0V,1.3V和1.8V穩(wěn)壓器供電.
采用14 mm × 14 mm289引腳芯片級球柵陣列 (CSP_BGA) 封裝.主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大規(guī)模 MIMO,宏蜂窩和小型蜂窩基站.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
熱門點擊
- CEVA深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(CDNN) 圖形編譯器
- 低壓差分信號(LVDS)接口協(xié)議為每個通道提
- 合成相位噪聲低于0.5 psRMS頻率高達(dá)1
- 1250萬像素分辨率的2倍數(shù)字裁切縮放和快速
- 開關(guān)頻率從300kHz到2000kHz在27
- 800W轉(zhuǎn)換器在<1s的短時間內(nèi)提供高達(dá)11
- 高效率IGBT驅(qū)動器NCV57000DWR2
- 7kHz的LED人造光源中的閃爍頻率更改驅(qū)動
- Valencell PPG傳感器無袖帶式血壓
- Cortex®-M7處理器運(yùn)行高達(dá)
推薦技術(shù)資料
- MOSFET 電感單片降壓開關(guān)模式變換器優(yōu)勢
- SiC MOSFET 和 IG
- 新型 電隔離無芯線性霍爾效應(yīng)電
- 業(yè)界超小絕對位置編碼器技術(shù)參數(shù)設(shè)計
- 高帶寬、更高分辨率磁角度傳感技術(shù)應(yīng)用探究
- MagAlpha 角度位置傳感
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究