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集成的功率MOSFET在12V電源通路中的RDS(ON)1.9mΩ

發(fā)布時(shí)間:2021/6/5 20:30:23 訪問次數(shù):293

全新RV1S9231A 2.5A輸出和RV1S9207A 0.6A輸出IGBT驅(qū)動(dòng)器，以及RV1S9209A有源高輸出IPM驅(qū)動(dòng)器均采用薄型LSSO5封裝，引腳間距為0.65mm，提供5000Vrms隔離電壓，支持高達(dá)125°C高溫，以承受惡劣工作環(huán)境。

瑞薩“成功產(chǎn)品組合”由相互兼容、無縫協(xié)作的產(chǎn)品組成，是經(jīng)過驗(yàn)證的系統(tǒng)架構(gòu)，現(xiàn)已面向各類應(yīng)用和終端產(chǎn)品提供超過200款“成功產(chǎn)品組合”解決方案。

ESD保護(hù)特性,人體模式(HBM)為+/-2000V,充電模式(CDM)為+/-500V.

制造商:STMicroelectronics產(chǎn)品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管RoHS: 產(chǎn)品類型:ESD Suppressors極性:Unidirectional工作電壓:22 V通道數(shù)量:1 Channel端接類型:SMD/SMT封裝 / 箱體:0603 (1610 Metric)擊穿電壓:23.3 V鉗位電壓:41 V峰值脈沖功耗 (Pppm):1400 WVesd - 靜電放電電壓觸點(diǎn):30 kVVesd - 靜電放電電壓氣隙:30 kVCd - 二極管電容 :-Ipp - 峰值脈沖電流:35 A最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商標(biāo):STMicroelectronicsPd-功率耗散:-8000子類別:TVS Diodes / ESD Suppression DiodesVf - 正向電壓:750 mV單位重量:20 mg

內(nèi)部的LDO還提供了保護(hù)IC的電源.

MAX16550的保護(hù)電流30A,30A的高密度尺寸為4mmx4.5mm,比通常解決方案板面積要小25%,具有電源,控制和監(jiān)視單片集成.

集成的功率MOSFET在12V電源通路中的RDS(ON)為1.9mΩ.

器件的工作溫度為-40C 到125C.帶滯后和下拉的3.3V到15V兼容的輸入.器件還具有超溫保護(hù).

主要用在開關(guān)電源,充電器和適配器以及高壓PFC,DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC轉(zhuǎn)換器.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

全新RV1S9231A 2.5A輸出和RV1S9207A 0.6A輸出IGBT驅(qū)動(dòng)器，以及RV1S9209A有源高輸出IPM驅(qū)動(dòng)器均采用薄型LSSO5封裝，引腳間距為0.65mm，提供5000Vrms隔離電壓，支持高達(dá)125°C高溫，以承受惡劣工作環(huán)境。

瑞薩“成功產(chǎn)品組合”由相互兼容、無縫協(xié)作的產(chǎn)品組成，是經(jīng)過驗(yàn)證的系統(tǒng)架構(gòu)，現(xiàn)已面向各類應(yīng)用和終端產(chǎn)品提供超過200款“成功產(chǎn)品組合”解決方案。

ESD保護(hù)特性,人體模式(HBM)為+/-2000V,充電模式(CDM)為+/-500V.

制造商:STMicroelectronics產(chǎn)品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管RoHS: 產(chǎn)品類型:ESD Suppressors極性:Unidirectional工作電壓:22 V通道數(shù)量:1 Channel端接類型:SMD/SMT封裝 / 箱體:0603 (1610 Metric)擊穿電壓:23.3 V鉗位電壓:41 V峰值脈沖功耗 (Pppm):1400 WVesd - 靜電放電電壓觸點(diǎn):30 kVVesd - 靜電放電電壓氣隙:30 kVCd - 二極管電容 :-Ipp - 峰值脈沖電流:35 A最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商標(biāo):STMicroelectronicsPd-功率耗散:-8000子類別:TVS Diodes / ESD Suppression DiodesVf - 正向電壓:750 mV單位重量:20 mg

內(nèi)部的LDO還提供了保護(hù)IC的電源.

MAX16550的保護(hù)電流30A,30A的高密度尺寸為4mmx4.5mm,比通常解決方案板面積要小25%,具有電源,控制和監(jiān)視單片集成.

集成的功率MOSFET在12V電源通路中的RDS(ON)為1.9mΩ.

器件的工作溫度為-40C 到125C.帶滯后和下拉的3.3V到15V兼容的輸入.器件還具有超溫保護(hù).

主要用在開關(guān)電源,充電器和適配器以及高壓PFC,DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC轉(zhuǎn)換器.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

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