Vishay SferniceP2TC擴(kuò)大阻值和溫度范圍TCR可達(dá)±2 ppm/C
發(fā)布時(shí)間:2021/6/6 23:59:42 訪問(wèn)次數(shù):640
多路模式的最大無(wú)線電帶寬間隔是1.2GHz.器件具有FDD和TDD單和多波段無(wú)線電,Tx/Rx通路帶寬高達(dá)1.6 GHz/2 GHz (4T4R).
4D4A (4 × 3 GSPS 到12 GSPS DAC和4 × 1.5 GSPS到4 GSPS ADC).支持發(fā)送器IQ輸入數(shù)據(jù)速率高達(dá)1.5Gbps,支持接收器IQ輸出數(shù)據(jù)速率高達(dá)2Gbps.
RF DAC/RF ADC輸出/輸入−3 dB帶寬 5.2 GHz 和7.5 GHz.器件的典型功耗為6W到7W,采用15 mm × 15 mm BGA封裝.
制造商:Panasonic 產(chǎn)品種類:鋁質(zhì)電解電容器-SMD RoHS: 詳細(xì)信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:S-V 產(chǎn)品:Aluminum Electrolytic Capacitors 電容:33 uF 電壓額定值 DC:25 VDC 容差:20 % 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 直徑:5 mm 長(zhǎng)度:5.4 mm 高度:5.4 mm 壽命:1000 Hour 紋波電流:42 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 商標(biāo):Panasonic 漏泄電流:3 uA 損耗因數(shù) DF:0.2 產(chǎn)品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:Capacitors 單位重量:200 mg
新款高精度薄膜片式電阻,適用于工業(yè)、醫(yī)療、國(guó)防和航空航天應(yīng)用。與競(jìng)品器件相比,Vishay SferniceP2TC擴(kuò)大了阻值和溫度范圍,TCR可達(dá)± 2 ppm/C,具有多種外形尺寸并提高了額定功率。
封裝內(nèi)部電路額定電壓最高650V,高低壓焊盤(pán)之間的爬電距離超過(guò)2mm。MasterGaN模塊適用于各種額定功率,工程師略做硬件修改,即可擴(kuò)展升級(jí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
主要用在無(wú)線通信基礎(chǔ)設(shè)備, W-CDMA, LTE, LTE-A和大規(guī)模天線技術(shù),微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和E波段5G mmWave,寬帶通信系統(tǒng), DOCSIS 3.0 CMTS,相陣列雷達(dá)和電子對(duì)抗以及電子測(cè)試和測(cè)量系統(tǒng).
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
多路模式的最大無(wú)線電帶寬間隔是1.2GHz.器件具有FDD和TDD單和多波段無(wú)線電,Tx/Rx通路帶寬高達(dá)1.6 GHz/2 GHz (4T4R).
4D4A (4 × 3 GSPS 到12 GSPS DAC和4 × 1.5 GSPS到4 GSPS ADC).支持發(fā)送器IQ輸入數(shù)據(jù)速率高達(dá)1.5Gbps,支持接收器IQ輸出數(shù)據(jù)速率高達(dá)2Gbps.
RF DAC/RF ADC輸出/輸入−3 dB帶寬 5.2 GHz 和7.5 GHz.器件的典型功耗為6W到7W,采用15 mm × 15 mm BGA封裝.
制造商:Panasonic 產(chǎn)品種類:鋁質(zhì)電解電容器-SMD RoHS: 詳細(xì)信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:S-V 產(chǎn)品:Aluminum Electrolytic Capacitors 電容:33 uF 電壓額定值 DC:25 VDC 容差:20 % 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 直徑:5 mm 長(zhǎng)度:5.4 mm 高度:5.4 mm 壽命:1000 Hour 紋波電流:42 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 商標(biāo):Panasonic 漏泄電流:3 uA 損耗因數(shù) DF:0.2 產(chǎn)品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:Capacitors 單位重量:200 mg
新款高精度薄膜片式電阻,適用于工業(yè)、醫(yī)療、國(guó)防和航空航天應(yīng)用。與競(jìng)品器件相比,Vishay SferniceP2TC擴(kuò)大了阻值和溫度范圍,TCR可達(dá)± 2 ppm/C,具有多種外形尺寸并提高了額定功率。
封裝內(nèi)部電路額定電壓最高650V,高低壓焊盤(pán)之間的爬電距離超過(guò)2mm。MasterGaN模塊適用于各種額定功率,工程師略做硬件修改,即可擴(kuò)展升級(jí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
主要用在無(wú)線通信基礎(chǔ)設(shè)備, W-CDMA, LTE, LTE-A和大規(guī)模天線技術(shù),微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和E波段5G mmWave,寬帶通信系統(tǒng), DOCSIS 3.0 CMTS,相陣列雷達(dá)和電子對(duì)抗以及電子測(cè)試和測(cè)量系統(tǒng).
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