AlSiC平板基板紅外視頻流或可見光視頻流傳輸功能
發(fā)布時間:2021/6/9 19:58:00 訪問次數(shù):252
紅外圖像流配置支持多種紅外視頻流或可見光視頻流傳輸功能,可優(yōu)化過程控制,增進(jìn)質(zhì)量保證,發(fā)現(xiàn)隱患,杜絕生產(chǎn)線關(guān)停問題。
提供多種鏡頭選擇和電動調(diào)焦功能,壓縮輻射流技術(shù)使帶寬需求降低90%,使通過Wi-Fi連接熱像儀和共享數(shù)據(jù)成為可能.
用戶可以自行設(shè)計系統(tǒng),選擇智能傳感器配置或圖像流式傳輸配置,根據(jù)需要的分辨率選擇熱像儀機(jī)身,然后添置鏡頭和多種選配功能,滿足應(yīng)用需求。
制造商:Panasonic 產(chǎn)品種類:鋁質(zhì)電解電容器-SMD RoHS: 詳細(xì)信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:FK-V 產(chǎn)品:High Temp Electrolytic Capacitors 電容:100 uF 電壓額定值 DC:63 VDC 容差:20 % ESR:350 mOhms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 105 C 直徑:10 mm 長度:10.2 mm 高度:10.2 mm 壽命:2000 Hour 紋波電流:400 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 類型:Aluminum Electrolytic Capacitors/Medium-size 商標(biāo):Panasonic 產(chǎn)品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數(shù)量:500 子類別:Capacitors 單位重量:1.700 g
一種基于輕質(zhì)AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM),以滿足航空和其他特殊工業(yè)應(yīng)用中針對自然空氣對流或背板冷卻的需求。
此項高溫芯片和模塊技術(shù)平臺亦將大力推動電動汽車動力總成系統(tǒng)(電機(jī)、電控及變速箱)的深度整合,以使其體積、重量及相應(yīng)成本大幅降低,并實(shí)現(xiàn)最佳能源效率。
CISSOID的IPM技術(shù)平臺可迅速適應(yīng)新的電壓、功率和冷卻要求,極大地加速了基于SiC的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計,從而實(shí)現(xiàn)了高效率和高功率密度。
紅外圖像流配置支持多種紅外視頻流或可見光視頻流傳輸功能,可優(yōu)化過程控制,增進(jìn)質(zhì)量保證,發(fā)現(xiàn)隱患,杜絕生產(chǎn)線關(guān)停問題。
提供多種鏡頭選擇和電動調(diào)焦功能,壓縮輻射流技術(shù)使帶寬需求降低90%,使通過Wi-Fi連接熱像儀和共享數(shù)據(jù)成為可能.
用戶可以自行設(shè)計系統(tǒng),選擇智能傳感器配置或圖像流式傳輸配置,根據(jù)需要的分辨率選擇熱像儀機(jī)身,然后添置鏡頭和多種選配功能,滿足應(yīng)用需求。
制造商:Panasonic 產(chǎn)品種類:鋁質(zhì)電解電容器-SMD RoHS: 詳細(xì)信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:FK-V 產(chǎn)品:High Temp Electrolytic Capacitors 電容:100 uF 電壓額定值 DC:63 VDC 容差:20 % ESR:350 mOhms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 105 C 直徑:10 mm 長度:10.2 mm 高度:10.2 mm 壽命:2000 Hour 紋波電流:400 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 類型:Aluminum Electrolytic Capacitors/Medium-size 商標(biāo):Panasonic 產(chǎn)品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數(shù)量:500 子類別:Capacitors 單位重量:1.700 g
一種基于輕質(zhì)AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM),以滿足航空和其他特殊工業(yè)應(yīng)用中針對自然空氣對流或背板冷卻的需求。
此項高溫芯片和模塊技術(shù)平臺亦將大力推動電動汽車動力總成系統(tǒng)(電機(jī)、電控及變速箱)的深度整合,以使其體積、重量及相應(yīng)成本大幅降低,并實(shí)現(xiàn)最佳能源效率。
CISSOID的IPM技術(shù)平臺可迅速適應(yīng)新的電壓、功率和冷卻要求,極大地加速了基于SiC的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計,從而實(shí)現(xiàn)了高效率和高功率密度。
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