4千瓦(kW)的單相交流轉(zhuǎn)直流(AC-DC)電源轉(zhuǎn)換而設計
發(fā)布時間:2021/6/15 13:20:40 訪問次數(shù):1007
這兩款先進的TEC器件組合在一起,構(gòu)成溫度反饋控制回路設計的核心,提供可靠的解決方案,用于工業(yè)激光應用、光學模塊和光學網(wǎng)絡系統(tǒng),以及醫(yī)療診斷、激光投影儀和激光雷達 (LiDAR) 系統(tǒng)。
ADI LTM4663 μModule TEC穩(wěn)壓器集成了TEC控制器、開關穩(wěn)壓器、電感器、線性功率級和支持組件,并采用尺寸為3.5 mm × 4 mm × 1.3 mm的緊湊型LGA25封裝。
此穩(wěn)壓器支持多功能應用,讓開發(fā)人員能夠分別設置最大冷卻和加熱電流,以及最大TEC電壓。
制造商:Microchip 產(chǎn)品種類:以太網(wǎng) IC RoHS: 詳細信息 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-32 產(chǎn)品:Ethernet Controllers 標準:10BASE-T, 100BASE-TX 收發(fā)器數(shù)量:1 Transceiver 數(shù)據(jù)速率:10 Mb/s, 100 Mb/s 接口類型:SPI 工作電源電壓:3.3 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 系列:KSZ8851 封裝:Tray 商標:Microchip Technology 電源電流—最大值:85 mA 雙工:Full Duplex, Half Duplex 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:Ethernet ICs 工廠包裝數(shù)量:490 子類別:Communication & Networking ICs 電源電壓-最大:3.5 V 電源電壓-最小:3.1 V
TDTTP4000W065AN充分利用SuperGaN™ FET的性能,設計更簡單,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品先驅(qū),最新的評估板TDTTP4000W065AN。
該評估板為高達4千瓦(kW)的單相交流轉(zhuǎn)直流(AC-DC)電源轉(zhuǎn)換而設計,采用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)拓撲和傳統(tǒng)的模擬控制。
這種組合使Transphorm最新的SuperGaN™ FET能夠快速、輕松地獲得一流的轉(zhuǎn)換效率,且使用數(shù)字信號控制器(DSC)時無需進行固件開發(fā)。
這兩款先進的TEC器件組合在一起,構(gòu)成溫度反饋控制回路設計的核心,提供可靠的解決方案,用于工業(yè)激光應用、光學模塊和光學網(wǎng)絡系統(tǒng),以及醫(yī)療診斷、激光投影儀和激光雷達 (LiDAR) 系統(tǒng)。
ADI LTM4663 μModule TEC穩(wěn)壓器集成了TEC控制器、開關穩(wěn)壓器、電感器、線性功率級和支持組件,并采用尺寸為3.5 mm × 4 mm × 1.3 mm的緊湊型LGA25封裝。
此穩(wěn)壓器支持多功能應用,讓開發(fā)人員能夠分別設置最大冷卻和加熱電流,以及最大TEC電壓。
制造商:Microchip 產(chǎn)品種類:以太網(wǎng) IC RoHS: 詳細信息 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-32 產(chǎn)品:Ethernet Controllers 標準:10BASE-T, 100BASE-TX 收發(fā)器數(shù)量:1 Transceiver 數(shù)據(jù)速率:10 Mb/s, 100 Mb/s 接口類型:SPI 工作電源電壓:3.3 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 系列:KSZ8851 封裝:Tray 商標:Microchip Technology 電源電流—最大值:85 mA 雙工:Full Duplex, Half Duplex 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:Ethernet ICs 工廠包裝數(shù)量:490 子類別:Communication & Networking ICs 電源電壓-最大:3.5 V 電源電壓-最小:3.1 V
TDTTP4000W065AN充分利用SuperGaN™ FET的性能,設計更簡單,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品先驅(qū),最新的評估板TDTTP4000W065AN。
該評估板為高達4千瓦(kW)的單相交流轉(zhuǎn)直流(AC-DC)電源轉(zhuǎn)換而設計,采用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)拓撲和傳統(tǒng)的模擬控制。
這種組合使Transphorm最新的SuperGaN™ FET能夠快速、輕松地獲得一流的轉(zhuǎn)換效率,且使用數(shù)字信號控制器(DSC)時無需進行固件開發(fā)。
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