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Oslon P1616寬波段發(fā)射器在350mA電流下提供74mW功率

發(fā)布時間:2021/6/24 9:02:02 訪問次數(shù):750

目前市場上最小型NIRED設備,并且功率高三倍

SFH4737寬波段發(fā)射器體積小,尺寸僅為1.6mm x 1.6mm x 0.9mm,它是目前尺寸關鍵型應用的最佳選擇。其寬均勻波長光譜實現(xiàn)了廣泛的紅外光源覆蓋范圍。

歐司朗Oslon P1616寬波段發(fā)射器在350mA電流下提供74mW功率,較先前型款提升了三倍。

憑借Nexperia的8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET在尺寸和性能方面的優(yōu)勢,設計人員能夠用一個新型LFPAK88替換兩個并行老式器件,從而簡化制造和提高可靠性。

制造商: Analog Devices Inc.

產(chǎn)品種類: 加速計

RoHS: 詳細信息

傳感器類型: 3-axis

傳感軸: X, Y, Z

加速: 2 g, 4 g, 8 g, 16 g

輸出類型: Digital

接口類型: I2C, SPI

分辨率: 16 bit

電源電壓-最大: 3.6 V

電源電壓-最小: 2 V

工作電源電流: 140 uA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: LGA-16

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 0.95 mm

長度: 3 mm

系列: ADXL346

類型: 3-Axis Digital Accelerometer

寬度: 3 mm

商標: Analog Devices

濕度敏感性: Yes

工作電源電壓: 1.7 V to 2.75 V

產(chǎn)品類型: Accelerometers

工廠包裝數(shù)量: 1500

子類別: Sensors

單位重量: 24.300 mg

新型功率MOSFET的尺寸僅為8 x 8 x 1.7 mm,具有領先的線性模式/安全工作區(qū)域(SOA)特性,可在大電流條件下安全可靠地開關工作。

在1 ms、20 VDS的工作條件下,由于芯片和封裝的組合,SOA為35 A,而在10 ms、20 VDS的工作條件下,此時封裝將起主導作用,SOA為17 A。這些數(shù)據(jù)優(yōu)于競品1.5倍至2倍。

這些器件還提供最佳單脈沖雪崩額定值(EAS) 2.3 J以及超強ID電流額定值500 A,與其他競品不同的是,該值是測量得出的極限,而非理論上的極限。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)


目前市場上最小型NIRED設備,并且功率高三倍

SFH4737寬波段發(fā)射器體積小,尺寸僅為1.6mm x 1.6mm x 0.9mm,它是目前尺寸關鍵型應用的最佳選擇。其寬均勻波長光譜實現(xiàn)了廣泛的紅外光源覆蓋范圍。

歐司朗Oslon P1616寬波段發(fā)射器在350mA電流下提供74mW功率,較先前型款提升了三倍。

憑借Nexperia的8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET在尺寸和性能方面的優(yōu)勢,設計人員能夠用一個新型LFPAK88替換兩個并行老式器件,從而簡化制造和提高可靠性。

制造商: Analog Devices Inc.

產(chǎn)品種類: 加速計

RoHS: 詳細信息

傳感器類型: 3-axis

傳感軸: X, Y, Z

加速: 2 g, 4 g, 8 g, 16 g

輸出類型: Digital

接口類型: I2C, SPI

分辨率: 16 bit

電源電壓-最大: 3.6 V

電源電壓-最小: 2 V

工作電源電流: 140 uA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: LGA-16

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 0.95 mm

長度: 3 mm

系列: ADXL346

類型: 3-Axis Digital Accelerometer

寬度: 3 mm

商標: Analog Devices

濕度敏感性: Yes

工作電源電壓: 1.7 V to 2.75 V

產(chǎn)品類型: Accelerometers

工廠包裝數(shù)量: 1500

子類別: Sensors

單位重量: 24.300 mg

新型功率MOSFET的尺寸僅為8 x 8 x 1.7 mm,具有領先的線性模式/安全工作區(qū)域(SOA)特性,可在大電流條件下安全可靠地開關工作。

在1 ms、20 VDS的工作條件下,由于芯片和封裝的組合,SOA為35 A,而在10 ms、20 VDS的工作條件下,此時封裝將起主導作用,SOA為17 A。這些數(shù)據(jù)優(yōu)于競品1.5倍至2倍。

這些器件還提供最佳單脈沖雪崩額定值(EAS) 2.3 J以及超強ID電流額定值500 A,與其他競品不同的是,該值是測量得出的極限,而非理論上的極限。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)


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