新一代nvSRAM擴展了英飛凌在電荷阱型存儲器的異步SRAM
發(fā)布時間:2021/6/27 23:17:39 訪問次數(shù):102
256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引腳300mil雙列直插式陶瓷封裝，符合MIL-PRF-38535 QML-Q規(guī)格（-55°C至125°C）和英飛凌的工業(yè)標準（-40 °C至85°C）。
“S-5701 B系列”是一種TMR傳感器IC。
5 V和3 V版本均支持用于航天、通信和導航系統(tǒng)以及工業(yè)高爐和鐵路控制系統(tǒng)的引導代碼、數(shù)據(jù)記錄和校準數(shù)據(jù)存儲。英飛凌還提供晶圓銷售，以支持封裝系統(tǒng)。
新一代nvSRAM擴展了英飛凌在電荷阱型存儲器領域的領導地位。
制造商:Silicon Laboratories 產(chǎn)品種類:8位微控制器 -MCU 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-28 程序存儲器大小:16 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit ADC分辨率:10 bit 最大時鐘頻率:25 MHz 輸入/輸出端數(shù)量:21 I/O 數(shù)據(jù) RAM 大小:2.25 kB 工作電源電壓:3 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:Reel 高度:0.84 mm 長度:5 mm 程序存儲器類型:Flash 寬度:5 mm 商標:Silicon Labs 接口類型:I2C, SMBus, SPI, UART, USB 濕度敏感性:Yes 計時器/計數(shù)器數(shù)量:4 Timer 處理器系列:C8051 產(chǎn)品類型:8-bit Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量1500 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.7 V 單位重量:67.750 mg
nvSRAM系列中新增的這些符合QML-Q規(guī)范的高可靠性工業(yè)用器件證明了我們致力于為需要高性能、高可靠性存儲器的惡劣工作環(huán)境提供解決方案。
英飛凌的nvSRAM技術將高性能SRAM與一流的SONOS非易失性技術相結合。在正常工作條件下，nvSRAM的作用類似于傳統(tǒng)的異步SRAM。
斷電時，nvSRAM會自動將SRAM數(shù)據(jù)的副本保存到非易失性存儲器中，該數(shù)據(jù)的保護期限超過20年。英飛凌已交付超過20億顆基于SONOS的非易失性嵌入式或獨立存儲器。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引腳300mil雙列直插式陶瓷封裝，符合MIL-PRF-38535 QML-Q規(guī)格（-55°C至125°C）和英飛凌的工業(yè)標準（-40 °C至85°C）。
“S-5701 B系列”是一種TMR傳感器IC。
5 V和3 V版本均支持用于航天、通信和導航系統(tǒng)以及工業(yè)高爐和鐵路控制系統(tǒng)的引導代碼、數(shù)據(jù)記錄和校準數(shù)據(jù)存儲。英飛凌還提供晶圓銷售，以支持封裝系統(tǒng)。
新一代nvSRAM擴展了英飛凌在電荷阱型存儲器領域的領導地位。
制造商:Silicon Laboratories 產(chǎn)品種類:8位微控制器 -MCU 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-28 程序存儲器大小:16 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit ADC分辨率:10 bit 最大時鐘頻率:25 MHz 輸入/輸出端數(shù)量:21 I/O 數(shù)據(jù) RAM 大小:2.25 kB 工作電源電壓:3 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:Reel 高度:0.84 mm 長度:5 mm 程序存儲器類型:Flash 寬度:5 mm 商標:Silicon Labs 接口類型:I2C, SMBus, SPI, UART, USB 濕度敏感性:Yes 計時器/計數(shù)器數(shù)量:4 Timer 處理器系列:C8051 產(chǎn)品類型:8-bit Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量1500 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.7 V 單位重量:67.750 mg
nvSRAM系列中新增的這些符合QML-Q規(guī)范的高可靠性工業(yè)用器件證明了我們致力于為需要高性能、高可靠性存儲器的惡劣工作環(huán)境提供解決方案。
英飛凌的nvSRAM技術將高性能SRAM與一流的SONOS非易失性技術相結合。在正常工作條件下，nvSRAM的作用類似于傳統(tǒng)的異步SRAM。
斷電時，nvSRAM會自動將SRAM數(shù)據(jù)的副本保存到非易失性存儲器中，該數(shù)據(jù)的保護期限超過20年。英飛凌已交付超過20億顆基于SONOS的非易失性嵌入式或獨立存儲器。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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