DSP單元或霍爾效應(yīng)傳感器接口實現(xiàn)1.2768億的有效像素
發(fā)布時間:2021/7/1 21:14:49 訪問次數(shù):205
這兩項獨創(chuàng)技術(shù)實現(xiàn)了1.2768億的有效像素、10位、21.8幀的高速輸出數(shù)據(jù)率,比前代產(chǎn)品*4快了近4倍,多像素和讀出速度的大幅提升,極大地提高了工業(yè)應(yīng)用中的生產(chǎn)率。
這種設(shè)計在不增加尺寸的情況下,改善了AD轉(zhuǎn)換器的處理功能。高速移動的物體進行無模糊成像的短曝光時間功能,在低亮度情況下可提高靈敏度的像素組合讀取功能.
使用嵌入式時鐘信號的數(shù)據(jù)傳輸方式。這樣就不需要在通道之間進行傾斜調(diào)整,并減少了所需的布線量,使電路板的設(shè)計更加簡單,從而適應(yīng)更高的速度。
制造商:Silicon Laboratories產(chǎn)品種類:數(shù)字隔離器RoHS: 系列:安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-16通道數(shù)量:4 Channel極性:Unidirectional數(shù)據(jù)速率:150 Mb/s絕緣電壓:3750 Vrms隔離類型:Capacitive Coupling電源電壓-最大:5.5 V電源電壓-最小:2.375 V工作電源電流:14.3 mA傳播延遲時間:8 ns最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C資格:AEC-Q100封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel類型:High Speed商標:Silicon Labs正向通道:3 Channel最大下降時間:4 ns最大上升時間:4 ns濕度敏感性:YesPd-功率耗散:275 mW產(chǎn)品類型:Digital Isolators脈沖寬度:5 ns脈沖寬度失真:0.2 ns反向通道:1 Channel2500子類別:Interface ICs單位重量:547.510 mg
MASTERGAN1是先進的功率系統(tǒng)級封裝,集成了柵極驅(qū)動器和兩個增強模式半橋配置的GaN晶體管.集成的功率GaN的RDS(ON)為150 mΩ,漏-源擊穿電壓為650V,IDS(MAX) = 10 A,而嵌入的高邊柵極驅(qū)動器很容易有集成的自舉二極管供電.
MASTERGAN1器件在低邊和高邊驅(qū)動兩部分有UVLO保護,從而阻止了功率開關(guān)工作在低效率或危險條件,內(nèi)部鎖住功能也避免了交叉導(dǎo)通的條件.
輸入引腳的擴展范圍使得容易和微處理器,DSP單元或霍爾效應(yīng)傳感器接口.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
這兩項獨創(chuàng)技術(shù)實現(xiàn)了1.2768億的有效像素、10位、21.8幀的高速輸出數(shù)據(jù)率,比前代產(chǎn)品*4快了近4倍,多像素和讀出速度的大幅提升,極大地提高了工業(yè)應(yīng)用中的生產(chǎn)率。
這種設(shè)計在不增加尺寸的情況下,改善了AD轉(zhuǎn)換器的處理功能。高速移動的物體進行無模糊成像的短曝光時間功能,在低亮度情況下可提高靈敏度的像素組合讀取功能.
使用嵌入式時鐘信號的數(shù)據(jù)傳輸方式。這樣就不需要在通道之間進行傾斜調(diào)整,并減少了所需的布線量,使電路板的設(shè)計更加簡單,從而適應(yīng)更高的速度。
制造商:Silicon Laboratories產(chǎn)品種類:數(shù)字隔離器RoHS: 系列:安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-16通道數(shù)量:4 Channel極性:Unidirectional數(shù)據(jù)速率:150 Mb/s絕緣電壓:3750 Vrms隔離類型:Capacitive Coupling電源電壓-最大:5.5 V電源電壓-最小:2.375 V工作電源電流:14.3 mA傳播延遲時間:8 ns最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C資格:AEC-Q100封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel類型:High Speed商標:Silicon Labs正向通道:3 Channel最大下降時間:4 ns最大上升時間:4 ns濕度敏感性:YesPd-功率耗散:275 mW產(chǎn)品類型:Digital Isolators脈沖寬度:5 ns脈沖寬度失真:0.2 ns反向通道:1 Channel2500子類別:Interface ICs單位重量:547.510 mg
MASTERGAN1是先進的功率系統(tǒng)級封裝,集成了柵極驅(qū)動器和兩個增強模式半橋配置的GaN晶體管.集成的功率GaN的RDS(ON)為150 mΩ,漏-源擊穿電壓為650V,IDS(MAX) = 10 A,而嵌入的高邊柵極驅(qū)動器很容易有集成的自舉二極管供電.
MASTERGAN1器件在低邊和高邊驅(qū)動兩部分有UVLO保護,從而阻止了功率開關(guān)工作在低效率或危險條件,內(nèi)部鎖住功能也避免了交叉導(dǎo)通的條件.
輸入引腳的擴展范圍使得容易和微處理器,DSP單元或霍爾效應(yīng)傳感器接口.
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