開(kāi)放式便攜式受信任執(zhí)行環(huán)境數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器
發(fā)布時(shí)間:2021/7/2 12:32:12 訪問(wèn)次數(shù):172
STM32MP1*雙核微處理器開(kāi)發(fā)生態(tài)系統(tǒng)，增加新軟件包，系統(tǒng)可支持最先進(jìn)的開(kāi)源安全計(jì)劃。
通過(guò)提供實(shí)現(xiàn)OP-TEE(開(kāi)放式便攜式受信任執(zhí)行環(huán)境)和TF-A(可信固件-A)項(xiàng)目等安全機(jī)制的軟件代碼，意法半導(dǎo)體幫助STM32MP1開(kāi)發(fā)人員分析解決在實(shí)際應(yīng)用開(kāi)發(fā)中遇到的重要的信息安全概念：機(jī)密性、完整性、可用性和真?zhèn)悟?yàn)證。
Sequitur Labs 的EmSPARK™ Security Suite for STM32MP1安全套件可簡(jiǎn)化安全啟動(dòng)、設(shè)備驗(yàn)證等保護(hù)技術(shù)的固件開(kāi)發(fā)。
制造商:Toshiba產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOP-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:150 VId-連續(xù)漏極電流:29 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:33 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:10.6 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:57 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:0.95 mm長(zhǎng)度:5 mm系列:晶體管類(lèi)型:1 N-Channel寬度:5 mm商標(biāo):Toshiba下降時(shí)間:5.1 ns產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET上升時(shí)間:5.8 ns5000子類(lèi)別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:17 ns典型接通延遲時(shí)間:16 ns單位重量:83 mg
TOLL封裝與最新DTMOSVI工藝技術(shù)相結(jié)合擴(kuò)展了產(chǎn)品陣容，覆蓋了低至65mΩ（最大值）的低導(dǎo)通電阻。東芝將繼續(xù)采用TOLL封裝工藝對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行改進(jìn)，以減小設(shè)備尺寸并提高效率。
應(yīng)用
數(shù)據(jù)中心（服務(wù)器電源等）
光伏發(fā)電機(jī)的功率調(diào)節(jié)器
不間斷電源系統(tǒng)
STM32MP1*雙核微處理器開(kāi)發(fā)生態(tài)系統(tǒng)，增加新軟件包，系統(tǒng)可支持最先進(jìn)的開(kāi)源安全計(jì)劃。
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Sequitur Labs 的EmSPARK™ Security Suite for STM32MP1安全套件可簡(jiǎn)化安全啟動(dòng)、設(shè)備驗(yàn)證等保護(hù)技術(shù)的固件開(kāi)發(fā)。
制造商:Toshiba產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOP-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:150 VId-連續(xù)漏極電流:29 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:33 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:10.6 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:57 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:0.95 mm長(zhǎng)度:5 mm系列:晶體管類(lèi)型:1 N-Channel寬度:5 mm商標(biāo):Toshiba下降時(shí)間:5.1 ns產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET上升時(shí)間:5.8 ns5000子類(lèi)別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:17 ns典型接通延遲時(shí)間:16 ns單位重量:83 mg
TOLL封裝與最新DTMOSVI工藝技術(shù)相結(jié)合擴(kuò)展了產(chǎn)品陣容，覆蓋了低至65mΩ（最大值）的低導(dǎo)通電阻。東芝將繼續(xù)采用TOLL封裝工藝對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行改進(jìn)，以減小設(shè)備尺寸并提高效率。
應(yīng)用
數(shù)據(jù)中心（服務(wù)器電源等）
光伏發(fā)電機(jī)的功率調(diào)節(jié)器
不間斷電源系統(tǒng)
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