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IA-420F超薄PCIe卡雙路2.3-2.8GHz 20W接收器前端

發(fā)布時(shí)間:2021/7/4 16:27:30 訪問(wèn)次數(shù):202

Intel® Agilex™ FPGA的IA-系列FPGA加速器。BittWare的IA系列FPGA加速器旨在幫助客戶開(kāi)發(fā)和部署下一代邊緣和云計(jì)算應(yīng)用,在降低風(fēng)險(xiǎn)的同時(shí)具有更大的靈活性和計(jì)算速度。

新的IA-420F超薄PCIe卡和IA-220-U2計(jì)算存儲(chǔ)處理器加入了IA-840F,提供了常見(jiàn)的三種尺寸供數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施選擇。

這三款產(chǎn)品完全符合PCIe Gen 4標(biāo)準(zhǔn),除了支持oneAPI™編程模型外,還包括應(yīng)用參考設(shè)計(jì),使硬件開(kāi)發(fā)者能夠創(chuàng)建特定領(lǐng)域的FPGA平臺(tái),應(yīng)用開(kāi)發(fā)者能夠建立跨架構(gòu)、單源的編譯設(shè)計(jì)。

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-59-3 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:32 V 集電極—基極電壓 VCBO:40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—射極飽和電壓:0.1 V 最大直流電集電極電流:0.8 A Pd-功率耗散:200 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:150 MHz 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:390 高度:1.1 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 技術(shù):Si 寬度:1.6 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 集電極連續(xù)電流:0.8 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:120 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors

ADRF5519是雙路2.3-2.8GHz 20W接收器前端,集成了RF前端多片模塊,設(shè)計(jì)用于工作頻率2.3GHz-2.8GHz的時(shí)分復(fù)接(TDD)應(yīng)用. 

ADRF5519可配置成兩路,有級(jí)聯(lián)兩級(jí)低噪音放大器(LNA)和功率硅單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān).

高增益模式,級(jí)聯(lián)兩級(jí)LNA和開(kāi)關(guān)提供2.6GHz時(shí)的低噪音(NF)0.1dB和高增益35dB,輸出三階截?cái)帱c(diǎn)(OIP3)32dB(典型值).

低增益模式,兩級(jí)LNA的一個(gè)級(jí)旁路,提供較低電流36mA時(shí)的14dB增益.

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

Intel® Agilex™ FPGA的IA-系列FPGA加速器。BittWare的IA系列FPGA加速器旨在幫助客戶開(kāi)發(fā)和部署下一代邊緣和云計(jì)算應(yīng)用,在降低風(fēng)險(xiǎn)的同時(shí)具有更大的靈活性和計(jì)算速度。

新的IA-420F超薄PCIe卡和IA-220-U2計(jì)算存儲(chǔ)處理器加入了IA-840F,提供了常見(jiàn)的三種尺寸供數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施選擇。

這三款產(chǎn)品完全符合PCIe Gen 4標(biāo)準(zhǔn),除了支持oneAPI™編程模型外,還包括應(yīng)用參考設(shè)計(jì),使硬件開(kāi)發(fā)者能夠創(chuàng)建特定領(lǐng)域的FPGA平臺(tái),應(yīng)用開(kāi)發(fā)者能夠建立跨架構(gòu)、單源的編譯設(shè)計(jì)。

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-59-3 晶體管極性:NPN 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:32 V 集電極—基極電壓 VCBO:40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 集電極—射極飽和電壓:0.1 V 最大直流電集電極電流:0.8 A Pd-功率耗散:200 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:150 MHz 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:390 高度:1.1 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 技術(shù):Si 寬度:1.6 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 集電極連續(xù)電流:0.8 A 直流集電極/Base Gain hfe Min:120 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors

ADRF5519是雙路2.3-2.8GHz 20W接收器前端,集成了RF前端多片模塊,設(shè)計(jì)用于工作頻率2.3GHz-2.8GHz的時(shí)分復(fù)接(TDD)應(yīng)用. 

ADRF5519可配置成兩路,有級(jí)聯(lián)兩級(jí)低噪音放大器(LNA)和功率硅單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān).

高增益模式,級(jí)聯(lián)兩級(jí)LNA和開(kāi)關(guān)提供2.6GHz時(shí)的低噪音(NF)0.1dB和高增益35dB,輸出三階截?cái)帱c(diǎn)(OIP3)32dB(典型值).

低增益模式,兩級(jí)LNA的一個(gè)級(jí)旁路,提供較低電流36mA時(shí)的14dB增益.

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