ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管四通道可變增益放大器
發(fā)布時間:2021/7/9 19:53:37 訪問次數(shù):249
四款全新高可靠性、高性能產(chǎn)品,以加強(qiáng)其傳統(tǒng)宏基站(BTS)射頻產(chǎn)品組合,為客戶帶來完整射頻信號鏈解決方案。
此次擴(kuò)展包括業(yè)界首款四通道F4482/1 TX可變增益放大器(VGA)和F011x系列雙通道一級低噪聲放大器(LNA)。
新系列產(chǎn)品還包括F1471 RF驅(qū)動放大器——首款P1dB超過1/2W的大功率前置驅(qū)動器,以及采用更小的封裝、具有更高隔離度、適用于DPD反饋路徑的F2934 RF開關(guān)。
產(chǎn)品種類: 射頻收發(fā)器
RoHS: 詳細(xì)信息
類型: Sub-GHz
頻率范圍: 119 MHz to 1050 MHz
最大數(shù)據(jù)速率: 1 Mb/s
調(diào)制格式: 4-FSK, 4-GFSK, ASK, FSK, GFSK, GMSK, MSK, OOK
電源電壓-最小: 1.8 V
電源電壓-最大: 3.6 V
接收供電電流: 10 mA, 13 mA
傳輸供電電流: 70 mA, 85 mA
輸出功率: 20 dBm
接口類型: SPI
封裝 / 箱體: QFN-20
封裝: Tray
靈敏度: - 126 dBm
系列: SI4463
技術(shù): Si
商標(biāo): Silicon Labs
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
最大工作頻率: 1050 MHz
產(chǎn)品類型: RF Transceiver
工廠包裝數(shù)量: 490
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
商標(biāo)名: EZRadioPRO
單位重量: 16.490 mg
650V耐壓、內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),且均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)“AEC-Q101*1”。
該產(chǎn)品適用于以電氣化車輛為首的電動汽車(xEV)中的車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器、以及太陽能發(fā)電用的功率調(diào)節(jié)器等處理大功率的汽車電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。
RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT*2的反饋單元(續(xù)流二極管)中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管(SiC SBD),成功大幅降低以往IGBT產(chǎn)品導(dǎo)通時的開關(guān)損耗(以下稱“開通損耗”*3)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
四款全新高可靠性、高性能產(chǎn)品,以加強(qiáng)其傳統(tǒng)宏基站(BTS)射頻產(chǎn)品組合,為客戶帶來完整射頻信號鏈解決方案。
此次擴(kuò)展包括業(yè)界首款四通道F4482/1 TX可變增益放大器(VGA)和F011x系列雙通道一級低噪聲放大器(LNA)。
新系列產(chǎn)品還包括F1471 RF驅(qū)動放大器——首款P1dB超過1/2W的大功率前置驅(qū)動器,以及采用更小的封裝、具有更高隔離度、適用于DPD反饋路徑的F2934 RF開關(guān)。
產(chǎn)品種類: 射頻收發(fā)器
RoHS: 詳細(xì)信息
類型: Sub-GHz
頻率范圍: 119 MHz to 1050 MHz
最大數(shù)據(jù)速率: 1 Mb/s
調(diào)制格式: 4-FSK, 4-GFSK, ASK, FSK, GFSK, GMSK, MSK, OOK
電源電壓-最小: 1.8 V
電源電壓-最大: 3.6 V
接收供電電流: 10 mA, 13 mA
傳輸供電電流: 70 mA, 85 mA
輸出功率: 20 dBm
接口類型: SPI
封裝 / 箱體: QFN-20
封裝: Tray
靈敏度: - 126 dBm
系列: SI4463
技術(shù): Si
商標(biāo): Silicon Labs
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
最大工作頻率: 1050 MHz
產(chǎn)品類型: RF Transceiver
工廠包裝數(shù)量: 490
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
商標(biāo)名: EZRadioPRO
單位重量: 16.490 mg
650V耐壓、內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),且均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)“AEC-Q101*1”。
該產(chǎn)品適用于以電氣化車輛為首的電動汽車(xEV)中的車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器、以及太陽能發(fā)電用的功率調(diào)節(jié)器等處理大功率的汽車電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。
RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT*2的反饋單元(續(xù)流二極管)中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管(SiC SBD),成功大幅降低以往IGBT產(chǎn)品導(dǎo)通時的開關(guān)損耗(以下稱“開通損耗”*3)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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