ROHM將持續(xù)擴(kuò)充封裝陣容，以支持更廣泛的應(yīng)用。同時(shí)，還計(jì)劃推進(jìn)車(chē)載級(jí)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。

隨著人們利用網(wǎng)絡(luò)的“云端”工作模式和生活模式的快速發(fā)展，需要進(jìn)一步豐富適用于需求日益擴(kuò)大的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器以及5G基站的產(chǎn)品陣容。

新產(chǎn)品采用ROHM第五代微米工藝技術(shù)，使柵極溝槽結(jié)構(gòu)*4較ROHM以往產(chǎn)品更為細(xì)致精密，并提高了電流密度，從而在支持24V輸入的－40V/－60V耐壓Pch MOSFET領(lǐng)域中，實(shí)現(xiàn)了極為出色的單位面積低導(dǎo)通電阻。

制造商:Kyocera產(chǎn)品種類:集管和線殼產(chǎn)品:Wire Housings類型:Receptacle Housing位置數(shù)量:8 Position節(jié)距:2.5 mm排數(shù):1 Row行距:-安裝風(fēng)格:Cable Mount / Free Hanging端接類型:-安裝角:Straight觸點(diǎn)類型:-觸點(diǎn)電鍍:-系列:最小工作溫度:- 20 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Bulk觸點(diǎn)類型:-電流額定值:-外殼材料:Thermoplastic (TP)商標(biāo):Kyocera Electronic Components觸點(diǎn)材料:-可燃性等級(jí):UL 94 V-0膠殼接口類型:FemaleIP 等級(jí):-產(chǎn)品類型:Headers & Wire Housings1000子類別:Headers & Wire Housings

兩者均為通常使用Si襯底生產(chǎn)的功率半導(dǎo)體，它們的器件結(jié)構(gòu)不同。

IGBT比其他功率半導(dǎo)體的成本更低，但存在需要續(xù)流二極管才能工作（需要雙芯片結(jié)構(gòu)才能工作）、關(guān)斷損耗較大的課題.

與IGBT相比，SJ-MOSFET無(wú)需續(xù)流二極管即可工作（單芯片結(jié)構(gòu)即可工作），而且關(guān)斷損耗較小，但存在難以應(yīng)對(duì)大功率的問(wèn)題。

作為一項(xiàng)突破,IGBT的續(xù)流二極管采用SiC SBD 而非傳統(tǒng)的Si-FRD,推出了可以降低損耗的Hybrid IGBT。

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