耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET
發(fā)布時間:2021/7/15 12:34:29 訪問次數(shù):739
產(chǎn)品采用ROHM新工藝,實現(xiàn)了業(yè)界超低的導通電阻,±40V耐壓產(chǎn)品的導通電阻比普通產(chǎn)品低61%(雙極MOSFET的Pch部分比較),有助于進一步降低各種設備的功耗。
兩枚器件集成到一個封裝中,有助于通過減少安裝面積從而實現(xiàn)設備的小型化,還有助于減少器件選型(Nch和Pch的組合)的時間。
ROHM還會面向要求更高耐壓的工業(yè)設備開發(fā)100V和150V耐壓產(chǎn)品,以擴大本系列產(chǎn)品的陣容,通過降低各種應用的功耗和實現(xiàn)其小型化來助力解決環(huán)境保護等社會問題。
內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2)”,非常適用于FA等工業(yè)設備和基站(冷卻風扇)的電機驅(qū)動。
為了支持工業(yè)設備和基站的電機所使用的24V輸入,MOSFET作為用于驅(qū)動的器件,需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。
為了進一步提高電機的效率并減小尺寸,對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關(guān)工作的要求。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
產(chǎn)品采用ROHM新工藝,實現(xiàn)了業(yè)界超低的導通電阻,±40V耐壓產(chǎn)品的導通電阻比普通產(chǎn)品低61%(雙極MOSFET的Pch部分比較),有助于進一步降低各種設備的功耗。
兩枚器件集成到一個封裝中,有助于通過減少安裝面積從而實現(xiàn)設備的小型化,還有助于減少器件選型(Nch和Pch的組合)的時間。
ROHM還會面向要求更高耐壓的工業(yè)設備開發(fā)100V和150V耐壓產(chǎn)品,以擴大本系列產(chǎn)品的陣容,通過降低各種應用的功耗和實現(xiàn)其小型化來助力解決環(huán)境保護等社會問題。
內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2)”,非常適用于FA等工業(yè)設備和基站(冷卻風扇)的電機驅(qū)動。
為了支持工業(yè)設備和基站的電機所使用的24V輸入,MOSFET作為用于驅(qū)動的器件,需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。
為了進一步提高電機的效率并減小尺寸,對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關(guān)工作的要求。
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