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數(shù)據(jù)傳輸速率提高和車載電子含量增加EMC保護(hù)需求

發(fā)布時(shí)間:2021/7/25 7:55:42 訪問次數(shù):234

一系列ESD保護(hù)器件，專門用于保護(hù)汽車應(yīng)用中越來越多的高速接口，特別是與信息娛樂和車輛通訊相關(guān)的車載網(wǎng)絡(luò)(IVN)。

隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的提高和車載電子含量的增加，EMC保護(hù)的需求變得越來越重要，提供正確的保護(hù)類型已成為設(shè)計(jì)工程師的巨大挑戰(zhàn)。

Nexperia的TrEOS技術(shù)優(yōu)化了ESD保護(hù)的三大關(guān)鍵參數(shù)（信號(hào)完整性、系統(tǒng)保護(hù)和魯棒性），以提供具有低電容、低鉗位電壓和高ESD魯棒性的理想組合的器件。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:10.3 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:22 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:27 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:4.5 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 長(zhǎng)度:6.15 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.15 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:26 S 下降時(shí)間:12 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:10 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:25 ns 典型接通延遲時(shí)間:10 ns 零件號(hào)別名:SI7850DP-E3 單位重量:506.600 mg

采用6 mm × 12 mm CSP_BGA封裝, ADAQ8088在高密度多路系統(tǒng)中最大限度降低了空間需求.工作電壓2.7V到3.3V,工作溫度−40C 到 +85C.

3V電源時(shí)的功耗為213mW,最大差分增益為30dB,可調(diào)整低至14dB,增益誤差為±0.2 dB,增益漂移為0.01dB/度C.

主要用在IF寬帶解調(diào)器,醫(yī)療圖像,相陣列系統(tǒng),雷達(dá),自適應(yīng)天線通信接收器,無線電鏈接,無線局部回路,RF儀表,衛(wèi)星調(diào)制解調(diào)器,基帶數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),多路數(shù)字化儀表以及超聲波無損傷測(cè)試.

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）


一系列ESD保護(hù)器件，專門用于保護(hù)汽車應(yīng)用中越來越多的高速接口，特別是與信息娛樂和車輛通訊相關(guān)的車載網(wǎng)絡(luò)(IVN)。

隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的提高和車載電子含量的增加，EMC保護(hù)的需求變得越來越重要，提供正確的保護(hù)類型已成為設(shè)計(jì)工程師的巨大挑戰(zhàn)。

Nexperia的TrEOS技術(shù)優(yōu)化了ESD保護(hù)的三大關(guān)鍵參數(shù)（信號(hào)完整性、系統(tǒng)保護(hù)和魯棒性），以提供具有低電容、低鉗位電壓和高ESD魯棒性的理想組合的器件。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:10.3 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:22 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:27 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:4.5 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 長(zhǎng)度:6.15 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.15 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:26 S 下降時(shí)間:12 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:10 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:25 ns 典型接通延遲時(shí)間:10 ns 零件號(hào)別名:SI7850DP-E3 單位重量:506.600 mg

采用6 mm × 12 mm CSP_BGA封裝, ADAQ8088在高密度多路系統(tǒng)中最大限度降低了空間需求.工作電壓2.7V到3.3V,工作溫度−40C 到 +85C.

3V電源時(shí)的功耗為213mW,最大差分增益為30dB,可調(diào)整低至14dB,增益誤差為±0.2 dB,增益漂移為0.01dB/度C.

主要用在IF寬帶解調(diào)器,醫(yī)療圖像,相陣列系統(tǒng),雷達(dá),自適應(yīng)天線通信接收器,無線電鏈接,無線局部回路,RF儀表,衛(wèi)星調(diào)制解調(diào)器,基帶數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),多路數(shù)字化儀表以及超聲波無損傷測(cè)試.

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）


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