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NVMe和24G SAS連接實現(xiàn)了薄層成形技術(shù)和高精度層壓技術(shù)

發(fā)布時間:2021/7/29 12:17:13 訪問次數(shù):831

OC69421配備抱桿安裝硬件,封裝在防風(fēng)雨及紫外線的天線罩中。

此完整的天線解決方案能夠在不影響機(jī)械性能和美觀性的情況下,持久可靠地運(yùn)行多年,為對通信要求極高的應(yīng)用提供優(yōu)異的高性能解決方案。

Microchip智能存儲適配器采用了市場領(lǐng)先的智能存儲協(xié)議棧和綜合管理工具。

陶瓷和電極材料的微;、均質(zhì)化,實現(xiàn)了薄層成形技術(shù)和高精度層壓技術(shù),并利用該技術(shù)成功制造出了與本公司以往的產(chǎn)品(0603英尺寸)相比,安裝面積比約為50%,體積比約為70%的小型化產(chǎn)品。


制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續(xù)漏極電流: 34 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 29 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S

下降時間: 4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 9 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 21 ns

典型接通延遲時間: 11 ns

零件號別名: IPB320N20N3 G SP000691172

單位重量: 4 g


Adaptec®智能存儲 PCIe®第四代 NVMe 三模式 SmartRAID 3200 RAID適配器,以及Adaptec SmartHBA 2200和Adaptec HBA 1200主機(jī)總線適配器。

這些適配器實現(xiàn)了下一代NVMe和24G SAS連接和可管理性,具有市場領(lǐng)先的性能,同時提供了下一代數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施所需的新安全級別。

Microchip全新Adaptec三模式存儲適配器提供了云計算和服務(wù)器OEM客戶對基于PCIe 第四代最新服務(wù)器存儲解決方案所要求的性能、連接性、安全性和易管理性。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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Microchip智能存儲適配器采用了市場領(lǐng)先的智能存儲協(xié)議棧和綜合管理工具。

陶瓷和電極材料的微;、均質(zhì)化,實現(xiàn)了薄層成形技術(shù)和高精度層壓技術(shù),并利用該技術(shù)成功制造出了與本公司以往的產(chǎn)品(0603英尺寸)相比,安裝面積比約為50%,體積比約為70%的小型化產(chǎn)品。


制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續(xù)漏極電流: 34 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 29 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S

下降時間: 4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 9 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 21 ns

典型接通延遲時間: 11 ns

零件號別名: IPB320N20N3 G SP000691172

單位重量: 4 g


Adaptec®智能存儲 PCIe®第四代 NVMe 三模式 SmartRAID 3200 RAID適配器,以及Adaptec SmartHBA 2200和Adaptec HBA 1200主機(jī)總線適配器。

這些適配器實現(xiàn)了下一代NVMe和24G SAS連接和可管理性,具有市場領(lǐng)先的性能,同時提供了下一代數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施所需的新安全級別。

Microchip全新Adaptec三模式存儲適配器提供了云計算和服務(wù)器OEM客戶對基于PCIe 第四代最新服務(wù)器存儲解決方案所要求的性能、連接性、安全性和易管理性。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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