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綠芯的EnduroSLC®技術(shù)并行異步NOR閃存減少引腳數(shù)

發(fā)布時間:2021/7/31 5:12:06 訪問次數(shù):255

Microchip將內(nèi)部碳化硅裸片生產(chǎn)與低電感功率封裝和數(shù)字可編程門驅(qū)動器相結(jié)合,使設(shè)計人員能夠制造出最高效、緊湊和可靠的最終產(chǎn)品。

256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存儲器可帶來出色的低引腳數(shù)單芯片解決方案,適用于FPGA配置、圖像存儲、微控制器數(shù)據(jù)和引導(dǎo)代碼存儲等應(yīng)用場合。

在更高時鐘速率下使用時,器件支持的數(shù)據(jù)傳輸可媲美或超越傳統(tǒng)的并行異步NOR閃存,同時顯著減少引腳數(shù)。

制造商:Analog Devices Inc. 產(chǎn)品種類:電池管理 RoHS: 詳細(xì)信息 產(chǎn)品:Battery Protection 電池類型:Multiple Cell 輸出電壓:5.6 V 工作電源電壓:11 V to 55 V 封裝 / 箱體:SMD/SMT 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 系列:LTC6804 封裝:Reel 商標(biāo):Analog Devices 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 工作電源電流:550 uA 產(chǎn)品類型:Battery Management 工廠包裝數(shù)量:2000 子類別:PMIC - Power Management ICs

SATA M.2 2242 ArmourDrive 固態(tài)硬盤可在工業(yè)級溫度(-40 至 +85 攝氏度)范圍內(nèi)工作,經(jīng)過嚴(yán)格的沖擊和振動測試,適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。

新推出的EX 系列固態(tài)硬盤采用綠芯的 EnduroSLC® 技術(shù),支持4GB、8GB、20GB、40GB、80GB、160GB 和 320GB 容量,是綠芯基于SLC (每單元1比特) NAND的長期支持計劃 (LTA) 產(chǎn)品 。

PX 系列固態(tài)硬盤支持64GB、128GB、256GB 和 512GB 容量,采用3D TLC (每單元3比特) NAND 閃存以提供高性價比的工業(yè)級存儲。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

Microchip將內(nèi)部碳化硅裸片生產(chǎn)與低電感功率封裝和數(shù)字可編程門驅(qū)動器相結(jié)合,使設(shè)計人員能夠制造出最高效、緊湊和可靠的最終產(chǎn)品。

256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存儲器可帶來出色的低引腳數(shù)單芯片解決方案,適用于FPGA配置、圖像存儲、微控制器數(shù)據(jù)和引導(dǎo)代碼存儲等應(yīng)用場合。

在更高時鐘速率下使用時,器件支持的數(shù)據(jù)傳輸可媲美或超越傳統(tǒng)的并行異步NOR閃存,同時顯著減少引腳數(shù)。

制造商:Analog Devices Inc. 產(chǎn)品種類:電池管理 RoHS: 詳細(xì)信息 產(chǎn)品:Battery Protection 電池類型:Multiple Cell 輸出電壓:5.6 V 工作電源電壓:11 V to 55 V 封裝 / 箱體:SMD/SMT 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 系列:LTC6804 封裝:Reel 商標(biāo):Analog Devices 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 工作電源電流:550 uA 產(chǎn)品類型:Battery Management 工廠包裝數(shù)量:2000 子類別:PMIC - Power Management ICs

SATA M.2 2242 ArmourDrive 固態(tài)硬盤可在工業(yè)級溫度(-40 至 +85 攝氏度)范圍內(nèi)工作,經(jīng)過嚴(yán)格的沖擊和振動測試,適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。

新推出的EX 系列固態(tài)硬盤采用綠芯的 EnduroSLC® 技術(shù),支持4GB、8GB、20GB、40GB、80GB、160GB 和 320GB 容量,是綠芯基于SLC (每單元1比特) NAND的長期支持計劃 (LTA) 產(chǎn)品 。

系列固態(tài)硬盤支持64GB、128GB、256GB 和 512GB 容量,采用3D TLC (每單元3比特) NAND 閃存以提供高性價比的工業(yè)級存儲。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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