氮化鎵器件DC/DC轉(zhuǎn)換器速度快三倍超薄Mini-ITX工業(yè)主板
發(fā)布時(shí)間:2021/7/31 13:35:14 訪問(wèn)次數(shù):260
與硅MOSFET解決方案相比,基于氮化鎵器件的DC/DC轉(zhuǎn)換器的速度快三倍,體積和重量都小35%以上,效率高1.5%以上。
而且整體系統(tǒng)成本更低。此外,氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的卓越效率和散熱性能實(shí)現(xiàn)空氣冷卻而不是水冷卻,而且小型化的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管大大減少鋁片所散出的熱量,從而進(jìn)一步節(jié)省系統(tǒng)成本。
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管eGaN® FET具備開(kāi)關(guān)快速、尺寸小和效率高等優(yōu)勢(shì),從而可以進(jìn)一步減小48 V/12 V車載電源系統(tǒng)轉(zhuǎn)換器的尺寸和重量。

制造商:TE Connectivity 產(chǎn)品種類:集管和線殼 RoHS: 詳細(xì)信息 產(chǎn)品:Headers 類型:Shrouded 安裝風(fēng)格:- 端接類型:Solder Pin 系列:D-3000 商標(biāo)名:DYNAMIC SERIES 封裝:Tube 商標(biāo):TE Connectivity 產(chǎn)品類型:Headers & Wire Housings 工廠包裝數(shù)量:23 子類別:Headers & Wire Housings 單位重量:7.404 g
超薄Mini-ITX工業(yè)主板,支持 AMD 7nm Ryzen™ 嵌入式V2000 SoC
4 x獨(dú)立4K顯示(2 x via HDMI, 2 x via DP++ via USB-C, 1 x可選eDP)
支持2 x DDR4-3200 SODIMM 雙通道, 最高可達(dá) 64GB ECC/non-ECC 內(nèi)存
3 x USB 3.2 Gen 2, 3 x USB 3.2 Gen 1, 2 x USB 2.0, 6 x COM, 2 x SATA III, 16-bit GPIO, and 2 x GbE
1 x M.2 M key, 1 x M.2 E key, and 1x PCIe x8 Gen 3
可選,支持CCTalk協(xié)議, 10W AMP, TPM 2.0
特色軟件APIs和研華WISE-DeviceOn
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
與硅MOSFET解決方案相比,基于氮化鎵器件的DC/DC轉(zhuǎn)換器的速度快三倍,體積和重量都小35%以上,效率高1.5%以上。
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氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管eGaN® FET具備開(kāi)關(guān)快速、尺寸小和效率高等優(yōu)勢(shì),從而可以進(jìn)一步減小48 V/12 V車載電源系統(tǒng)轉(zhuǎn)換器的尺寸和重量。

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超薄Mini-ITX工業(yè)主板,支持 AMD 7nm Ryzen™ 嵌入式V2000 SoC
4 x獨(dú)立4K顯示(2 x via HDMI, 2 x via DP++ via USB-C, 1 x可選eDP)
支持2 x DDR4-3200 SODIMM 雙通道, 最高可達(dá) 64GB ECC/non-ECC 內(nèi)存
3 x USB 3.2 Gen 2, 3 x USB 3.2 Gen 1, 2 x USB 2.0, 6 x COM, 2 x SATA III, 16-bit GPIO, and 2 x GbE
1 x M.2 M key, 1 x M.2 E key, and 1x PCIe x8 Gen 3
可選,支持CCTalk協(xié)議, 10W AMP, TPM 2.0
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