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電纜確保其與內(nèi)窺鏡設(shè)備順暢無(wú)縫的整合在尖端補(bǔ)充LED光源

發(fā)布時(shí)間:2021/8/1 13:45:24 訪問(wèn)次數(shù):447

數(shù)字LVDS串行接口,該攝像頭具備高信噪比(SNR)。因此,它能夠在不損失信號(hào)完整性或不增加噪聲的情況下通過(guò)長(zhǎng)距離的電纜傳輸圖像。

NanEyeM還擁有高達(dá)49fps(幀/秒)的幀率,可在各種標(biāo)準(zhǔn)接口上實(shí)現(xiàn)流暢、低延遲的顯示,同時(shí)保持低功耗。圖像傳感器像素靈敏度高,這意味著需要較少的照明。

這有助于控制設(shè)備尖端的發(fā)熱。該模組配有一條適用電纜,可根據(jù)客戶要求定制,長(zhǎng)度可達(dá)3米。自身附帶的電纜可確保其與內(nèi)窺鏡設(shè)備順暢無(wú)縫的整合。可在尖端補(bǔ)充LED光源。

制造商:NJR 產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DMP-8 通道數(shù)量:2 Channel 電源電壓-最大:+/- 18 V GBP-增益帶寬產(chǎn)品:3 MHz 每個(gè)通道的輸出電流:- SR - 轉(zhuǎn)換速率 :1 V/us Vos - 輸入偏置電壓 :6 mV 電源電壓-最小:+/- 4 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C Ib - 輸入偏流:500 nA 工作電源電流:5.7 mA 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:70 dB en - 輸入電壓噪聲密度:- 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 放大器類型:High Gain Amplifier 高度:1.6 mm 長(zhǎng)度:5 mm 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 電源類型:Dual 技術(shù):Bipolar 寬度:5 mm 商標(biāo):NJR 雙重電源電壓:+/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V 最大雙重電源電壓:+/- 18 V 最小雙重電源電壓:+/- 4 V 工作電源電壓:+/- 4 V to +/- 18 V Pd-功率耗散:300 mW 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers 工廠包裝數(shù)量2000 子類別:Amplifier ICs 電壓增益 dB:100 dB 單位重量:95 mg

高容量抗輻射(RadTol)NOR閃存產(chǎn)品,該產(chǎn)品通過(guò)了MIL-PRF-38535 QML-V流程認(rèn)證。QML-V流程是航天級(jí)IC的最高質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。

英飛凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存儲(chǔ)器可帶來(lái)出色的低引腳數(shù)單芯片解決方案,適用于FPGA配置、圖像存儲(chǔ)、微控制器數(shù)據(jù)和引導(dǎo)代碼存儲(chǔ)等應(yīng)用場(chǎng)合。

在更高時(shí)鐘速率下使用時(shí),器件支持的數(shù)據(jù)傳輸可媲美或超越傳統(tǒng)的并行異步NOR閃存,同時(shí)顯著減少引腳數(shù)。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

數(shù)字LVDS串行接口,該攝像頭具備高信噪比(SNR)。因此,它能夠在不損失信號(hào)完整性或不增加噪聲的情況下通過(guò)長(zhǎng)距離的電纜傳輸圖像。

NanEyeM還擁有高達(dá)49fps(幀/秒)的幀率,可在各種標(biāo)準(zhǔn)接口上實(shí)現(xiàn)流暢、低延遲的顯示,同時(shí)保持低功耗。圖像傳感器像素靈敏度高,這意味著需要較少的照明。

這有助于控制設(shè)備尖端的發(fā)熱。該模組配有一條適用電纜,可根據(jù)客戶要求定制,長(zhǎng)度可達(dá)3米。自身附帶的電纜可確保其與內(nèi)窺鏡設(shè)備順暢無(wú)縫的整合?稍诩舛搜a(bǔ)充LED光源。

制造商:NJR 產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DMP-8 通道數(shù)量:2 Channel 電源電壓-最大:+/- 18 V GBP-增益帶寬產(chǎn)品:3 MHz 每個(gè)通道的輸出電流:- SR - 轉(zhuǎn)換速率 :1 V/us Vos - 輸入偏置電壓 :6 mV 電源電壓-最小:+/- 4 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C Ib - 輸入偏流:500 nA 工作電源電流:5.7 mA 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:70 dB en - 輸入電壓噪聲密度:- 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 放大器類型:High Gain Amplifier 高度:1.6 mm 長(zhǎng)度:5 mm 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 電源類型:Dual 技術(shù):Bipolar 寬度:5 mm 商標(biāo):NJR 雙重電源電壓:+/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V 最大雙重電源電壓:+/- 18 V 最小雙重電源電壓:+/- 4 V 工作電源電壓:+/- 4 V to +/- 18 V Pd-功率耗散:300 mW 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers 工廠包裝數(shù)量2000 子類別:Amplifier ICs 電壓增益 dB:100 dB 單位重量:95 mg

高容量抗輻射(RadTol)NOR閃存產(chǎn)品,該產(chǎn)品通過(guò)了MIL-PRF-38535 QML-V流程認(rèn)證。QML-V流程是航天級(jí)IC的最高質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。

英飛凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存儲(chǔ)器可帶來(lái)出色的低引腳數(shù)單芯片解決方案,適用于FPGA配置、圖像存儲(chǔ)、微控制器數(shù)據(jù)和引導(dǎo)代碼存儲(chǔ)等應(yīng)用場(chǎng)合。

在更高時(shí)鐘速率下使用時(shí),器件支持的數(shù)據(jù)傳輸可媲美或超越傳統(tǒng)的并行異步NOR閃存,同時(shí)顯著減少引腳數(shù)。

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