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0.64㎛像素ISOCELL JN1使用單獨(dú)的數(shù)字接口電壓(VIO)電源

發(fā)布時間:2021/8/1 22:36:10 訪問次數(shù):265

ADAQ4003采用了系統(tǒng)級封裝 (SIP) 技術(shù),通過將元器件選擇、優(yōu)化和布局方面的信號鏈設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)從設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)移到設(shè)備上,縮短了精密測量系統(tǒng)的開發(fā)周期。

兼容串行外設(shè)接口 (SPI)的串行用戶界面使用單獨(dú)的數(shù)字接口電壓 (VIO) 電源,與1.8 V、2.5 V、3 V或5V邏輯兼容。

ADAQ430將多個通用信號處理和調(diào)節(jié)模塊集成到一個設(shè)備中,從而減少了終端系統(tǒng)組件數(shù),并縮短自動測試設(shè)備、機(jī)器自動化、過程控制、醫(yī)療儀器和數(shù)字控制回路等系統(tǒng)的開發(fā)周期。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 180 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 176 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 188 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: XPB180N03

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 41 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 24 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 38 ns

典型接通延遲時間: 35 ns

零件號別名: IPB180N03S4L-H0 SP000555050

單位重量: 1.600 g

0.64㎛像素ISOCELL JN1,移動圖像傳感器技術(shù)的難點(diǎn)在于,用更小的像素尺寸,獲得更好的畫質(zhì)性能。這是因?yàn)橐话銇碚f,像素越小,接收光線的面積就越小,圖像傳感器的性能隨之下降。

三星半導(dǎo)體“ISOCELL”技術(shù),采用納米級超精細(xì)工藝,與現(xiàn)有像素相比,像素尺寸縮小16%,通過改善像素結(jié)構(gòu),即便是小像素也能充分利用所接收的光線,減少光損耗,從而克服了性能下降的問題。

在總像素相同的產(chǎn)品中,采用0.64㎛像素制作的模組,與現(xiàn)有采用0.7㎛像素制作的模組相比,模組的厚度可減少約10%,有助于減少移動設(shè)備攝像頭的突出程度。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


ADAQ4003采用了系統(tǒng)級封裝 (SIP) 技術(shù),通過將元器件選擇、優(yōu)化和布局方面的信號鏈設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)從設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)移到設(shè)備上,縮短了精密測量系統(tǒng)的開發(fā)周期。

兼容串行外設(shè)接口 (SPI)的串行用戶界面使用單獨(dú)的數(shù)字接口電壓 (VIO) 電源,與1.8 V、2.5 V、3 V或5V邏輯兼容。

ADAQ430將多個通用信號處理和調(diào)節(jié)模塊集成到一個設(shè)備中,從而減少了終端系統(tǒng)組件數(shù),并縮短自動測試設(shè)備、機(jī)器自動化、過程控制、醫(yī)療儀器和數(shù)字控制回路等系統(tǒng)的開發(fā)周期。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 180 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 176 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 188 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: XPB180N03

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 41 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 24 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 38 ns

典型接通延遲時間: 35 ns

零件號別名: IPB180N03S4L-H0 SP000555050

單位重量: 1.600 g

0.64㎛像素ISOCELL JN1,移動圖像傳感器技術(shù)的難點(diǎn)在于,用更小的像素尺寸,獲得更好的畫質(zhì)性能。這是因?yàn)橐话銇碚f,像素越小,接收光線的面積就越小,圖像傳感器的性能隨之下降。

三星半導(dǎo)體“ISOCELL”技術(shù),采用納米級超精細(xì)工藝,與現(xiàn)有像素相比,像素尺寸縮小16%,通過改善像素結(jié)構(gòu),即便是小像素也能充分利用所接收的光線,減少光損耗,從而克服了性能下降的問題。

在總像素相同的產(chǎn)品中,采用0.64㎛像素制作的模組,與現(xiàn)有采用0.7㎛像素制作的模組相比,模組的厚度可減少約10%,有助于減少移動設(shè)備攝像頭的突出程度。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


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