0.64㎛像素ISOCELL JN1使用單獨(dú)的數(shù)字接口電壓(VIO)電源
發(fā)布時間:2021/8/1 22:36:10 訪問次數(shù):265
ADAQ4003采用了系統(tǒng)級封裝 (SIP) 技術(shù),通過將元器件選擇、優(yōu)化和布局方面的信號鏈設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)從設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)移到設(shè)備上,縮短了精密測量系統(tǒng)的開發(fā)周期。
兼容串行外設(shè)接口 (SPI)的串行用戶界面使用單獨(dú)的數(shù)字接口電壓 (VIO) 電源,與1.8 V、2.5 V、3 V或5V邏輯兼容。
ADAQ430將多個通用信號處理和調(diào)節(jié)模塊集成到一個設(shè)備中,從而減少了終端系統(tǒng)組件數(shù),并縮短自動測試設(shè)備、機(jī)器自動化、過程控制、醫(yī)療儀器和數(shù)字控制回路等系統(tǒng)的開發(fā)周期。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 180 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 176 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 188 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: XPB180N03
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時間: 41 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 24 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 38 ns
典型接通延遲時間: 35 ns
零件號別名: IPB180N03S4L-H0 SP000555050
單位重量: 1.600 g

0.64㎛像素ISOCELL JN1,移動圖像傳感器技術(shù)的難點(diǎn)在于,用更小的像素尺寸,獲得更好的畫質(zhì)性能。這是因?yàn)橐话銇碚f,像素越小,接收光線的面積就越小,圖像傳感器的性能隨之下降。
三星半導(dǎo)體“ISOCELL”技術(shù),采用納米級超精細(xì)工藝,與現(xiàn)有像素相比,像素尺寸縮小16%,通過改善像素結(jié)構(gòu),即便是小像素也能充分利用所接收的光線,減少光損耗,從而克服了性能下降的問題。
在總像素相同的產(chǎn)品中,采用0.64㎛像素制作的模組,與現(xiàn)有采用0.7㎛像素制作的模組相比,模組的厚度可減少約10%,有助于減少移動設(shè)備攝像頭的突出程度。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
ADAQ4003采用了系統(tǒng)級封裝 (SIP) 技術(shù),通過將元器件選擇、優(yōu)化和布局方面的信號鏈設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)從設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)移到設(shè)備上,縮短了精密測量系統(tǒng)的開發(fā)周期。
兼容串行外設(shè)接口 (SPI)的串行用戶界面使用單獨(dú)的數(shù)字接口電壓 (VIO) 電源,與1.8 V、2.5 V、3 V或5V邏輯兼容。
ADAQ430將多個通用信號處理和調(diào)節(jié)模塊集成到一個設(shè)備中,從而減少了終端系統(tǒng)組件數(shù),并縮短自動測試設(shè)備、機(jī)器自動化、過程控制、醫(yī)療儀器和數(shù)字控制回路等系統(tǒng)的開發(fā)周期。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 180 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 176 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 188 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: XPB180N03
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時間: 41 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 24 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 38 ns
典型接通延遲時間: 35 ns
零件號別名: IPB180N03S4L-H0 SP000555050
單位重量: 1.600 g

0.64㎛像素ISOCELL JN1,移動圖像傳感器技術(shù)的難點(diǎn)在于,用更小的像素尺寸,獲得更好的畫質(zhì)性能。這是因?yàn)橐话銇碚f,像素越小,接收光線的面積就越小,圖像傳感器的性能隨之下降。
三星半導(dǎo)體“ISOCELL”技術(shù),采用納米級超精細(xì)工藝,與現(xiàn)有像素相比,像素尺寸縮小16%,通過改善像素結(jié)構(gòu),即便是小像素也能充分利用所接收的光線,減少光損耗,從而克服了性能下降的問題。
在總像素相同的產(chǎn)品中,采用0.64㎛像素制作的模組,與現(xiàn)有采用0.7㎛像素制作的模組相比,模組的厚度可減少約10%,有助于減少移動設(shè)備攝像頭的突出程度。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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