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支持各種CMOS圖像傳感器和SoC適合無風(fēng)扇應(yīng)用的外置部件

發(fā)布時間:2021/8/2 22:00:37 訪問次數(shù):201

ROHM通過組合SerDes IC和攝像頭用PMIC的新產(chǎn)品,來解決這些問題。

3個產(chǎn)品型號,其中包括一款串行器和兩款解串器產(chǎn)品。由于三款產(chǎn)品都支持三大主要通信電纜,因此可支持各種CMOS圖像傳感器和SoC。

CMOS圖像傳感器是車載攝像頭的主要器件,制造商不同,其驅(qū)動電壓設(shè)置和時序控制也不同,并且需要使用很多外置部件構(gòu)成。

“BD86852MUF-C”配備了可設(shè)置主要CMOS圖像傳感器的驅(qū)動電壓和時序控制的引腳,從而無需驅(qū)動電壓設(shè)置和時序控制用的外置部件。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:72 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:12 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V Qg-柵極電荷:73.3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:150 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 長度:10 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:35 S 下降時間:166 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:200 ns 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:157 ns 典型接通延遲時間:7.6 ns 單位重量:2 g

模塊都提供Class I和Class II操作,并通過廣泛的相關(guān)認(rèn)證,包括針對EMC排放的EN55032、EN55015和EN61000-3標(biāo)準(zhǔn)以及針對EMC抗擾度EN55035和EN61547標(biāo)準(zhǔn)。

因為不需要強制風(fēng)冷,LCE80系列非常適合無風(fēng)扇應(yīng)用。產(chǎn)品提供一個標(biāo)準(zhǔn)的90至305VAC超寬輸入范圍,允許設(shè)備在277VAC的單相高線上安全運行。

該產(chǎn)品還符合12V及以上的有限電源(LPS)要求,確保在操作和處理以及故障情況下降低火災(zāi)或觸電的風(fēng)險。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

ROHM通過組合SerDes IC和攝像頭用PMIC的新產(chǎn)品,來解決這些問題。

3個產(chǎn)品型號,其中包括一款串行器和兩款解串器產(chǎn)品。由于三款產(chǎn)品都支持三大主要通信電纜,因此可支持各種CMOS圖像傳感器和SoC。

CMOS圖像傳感器是車載攝像頭的主要器件,制造商不同,其驅(qū)動電壓設(shè)置和時序控制也不同,并且需要使用很多外置部件構(gòu)成。

“BD86852MUF-C”配備了可設(shè)置主要CMOS圖像傳感器的驅(qū)動電壓和時序控制的引腳,從而無需驅(qū)動電壓設(shè)置和時序控制用的外置部件。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:72 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:12 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V Qg-柵極電荷:73.3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:150 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 長度:10 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:35 S 下降時間:166 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:200 ns 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:157 ns 典型接通延遲時間:7.6 ns 單位重量:2 g

模塊都提供Class I和Class II操作,并通過廣泛的相關(guān)認(rèn)證,包括針對EMC排放的EN55032、EN55015和EN61000-3標(biāo)準(zhǔn)以及針對EMC抗擾度EN55035和EN61547標(biāo)準(zhǔn)。

因為不需要強制風(fēng)冷,LCE80系列非常適合無風(fēng)扇應(yīng)用。產(chǎn)品提供一個標(biāo)準(zhǔn)的90至305VAC超寬輸入范圍,允許設(shè)備在277VAC的單相高線上安全運行。

該產(chǎn)品還符合12V及以上的有限電源(LPS)要求,確保在操作和處理以及故障情況下降低火災(zāi)或觸電的風(fēng)險。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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