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2.075x2.075mm晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝帶有過壓保護(hù)USB兼容輸入穩(wěn)壓器

發(fā)布時(shí)間:2023/1/31 17:29:15 訪問次數(shù):61

電源管理IC (PMIC)產(chǎn)品“nPM1100”。nPM1100®在2.075 x 2.075mm晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝 (WLCSP)中結(jié)合了一個(gè)帶有過壓保護(hù)的USB兼容輸入穩(wěn)壓器.

得益于 PureCelPlus-S 堆疊管芯技術(shù)，OV02C 可在較小的尺寸中實(shí)現(xiàn)更高的功能。

400mA電池充電器和150mA DC/DC降壓 (buck)穩(wěn)壓器。這款PMIC可以確保Nordic的nRF52®和nRF53®系列多協(xié)議系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)的可靠供電和穩(wěn)定運(yùn)作，并且最大限度地延長(zhǎng)了應(yīng)用電池的使用壽命。

這種下一代像素技術(shù)，還能夠大幅改善色彩保真度、低感光度下的畫質(zhì)、以及 37.5 dB 的高信噪比。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:11 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:11.7 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:16 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.8 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長(zhǎng)度:3 mm 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:3 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:16 S 下降時(shí)間:60 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:27 ns 工廠包裝數(shù)量4000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:72 ns 典型接通延遲時(shí)間:11 ns 零件號(hào)別名:IRFHM9331TRPBF SP001556510 單位重量:122.136 mg

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaNFET）技術(shù)，才可以實(shí)現(xiàn)1226 W / in3的高功率密度。

輸入電壓在48V至12V時(shí)的峰值效率為98％，在提供1 kW功率、12 V時(shí)的滿載效率為97％。在最大負(fù)載和400 LFM氣流下，最高穩(wěn)態(tài)工作溫度為88°C，最高結(jié)溫為95°C。

EPC9149演示板可以在36 V至60 V的輸入電壓下工作，并輸出高達(dá)83.3 A的負(fù)載電流。

eGaN FET和集成電路提高了48 V/12 V轉(zhuǎn)換器的功率密度，并滿足了數(shù)據(jù)中心對(duì)于小尺寸、更高功率的應(yīng)用需求。Microchip數(shù)字控制器使得EPC9149演示板可靈活地進(jìn)行編程和配置。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

電源管理IC (PMIC)產(chǎn)品“nPM1100”。nPM1100®在2.075 x 2.075mm晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝 (WLCSP)中結(jié)合了一個(gè)帶有過壓保護(hù)的USB兼容輸入穩(wěn)壓器.

得益于 PureCelPlus-S 堆疊管芯技術(shù)，OV02C 可在較小的尺寸中實(shí)現(xiàn)更高的功能。

400mA電池充電器和150mA DC/DC降壓 (buck)穩(wěn)壓器。這款PMIC可以確保Nordic的nRF52®和nRF53®系列多協(xié)議系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)的可靠供電和穩(wěn)定運(yùn)作，并且最大限度地延長(zhǎng)了應(yīng)用電池的使用壽命。

這種下一代像素技術(shù)，還能夠大幅改善色彩保真度、低感光度下的畫質(zhì)、以及 37.5 dB 的高信噪比。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:11 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:11.7 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:16 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.8 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1 mm 長(zhǎng)度:3 mm 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:3 mm 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo) - 最小值:16 S 下降時(shí)間:60 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:27 ns 工廠包裝數(shù)量4000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:72 ns 典型接通延遲時(shí)間:11 ns 零件號(hào)別名:IRFHM9331TRPBF SP001556510 單位重量:122.136 mg

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaNFET）技術(shù)，才可以實(shí)現(xiàn)1226 W / in3的高功率密度。

輸入電壓在48V至12V時(shí)的峰值效率為98％，在提供1 kW功率、12 V時(shí)的滿載效率為97％。在最大負(fù)載和400 LFM氣流下，最高穩(wěn)態(tài)工作溫度為88°C，最高結(jié)溫為95°C。

EPC9149演示板可以在36 V至60 V的輸入電壓下工作，并輸出高達(dá)83.3 A的負(fù)載電流。

eGaN FET和集成電路提高了48 V/12 V轉(zhuǎn)換器的功率密度，并滿足了數(shù)據(jù)中心對(duì)于小尺寸、更高功率的應(yīng)用需求。Microchip數(shù)字控制器使得EPC9149演示板可靈活地進(jìn)行編程和配置。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

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