天線測(cè)量以及在高達(dá)110 GHz高頻下運(yùn)行的小型設(shè)備的射頻特征
發(fā)布時(shí)間:2021/8/3 19:49:03 訪問次數(shù):232
SiSS52DN適用于同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)柜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、OR-ring FET低邊開關(guān),以及服務(wù)器、通信和RF設(shè)備電源的負(fù)載切換。MOSFET可提高隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的性能,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)人員兩種電路的器件選擇。
器件經(jīng)過100 % RG和UIS測(cè)試,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵素。
微型緊湊天線測(cè)量系統(tǒng)系列的最新產(chǎn)品CR-M8。該產(chǎn)品特別適用于天線測(cè)量以及在高達(dá)110 GHz高頻下運(yùn)行的小型設(shè)備的射頻特征。
在具有同等功能的小尺寸產(chǎn)品中,IC溫度接近100℃,因此需要采取散熱措施(通過外置散熱器和MOSFET來(lái)分散熱量).
ROHM新產(chǎn)品的工作效率高達(dá)90%(輸出電流為3A時(shí)),并采用散熱性能出色的封裝,工作時(shí)的發(fā)熱溫度僅為65℃左右,因此客戶無(wú)需采取散熱措施,從而有助于提高應(yīng)用的可靠性。
與具有同等性能的普通產(chǎn)品(6.0mm×4.0mm×0.8mm)相比,尺寸減少約60%,而且還可以減少外圍部件的數(shù)量。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
SiSS52DN適用于同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)柜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、OR-ring FET低邊開關(guān),以及服務(wù)器、通信和RF設(shè)備電源的負(fù)載切換。MOSFET可提高隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的性能,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)人員兩種電路的器件選擇。
器件經(jīng)過100 % RG和UIS測(cè)試,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵素。
微型緊湊天線測(cè)量系統(tǒng)系列的最新產(chǎn)品CR-M8。該產(chǎn)品特別適用于天線測(cè)量以及在高達(dá)110 GHz高頻下運(yùn)行的小型設(shè)備的射頻特征。
在具有同等功能的小尺寸產(chǎn)品中,IC溫度接近100℃,因此需要采取散熱措施(通過外置散熱器和MOSFET來(lái)分散熱量).
ROHM新產(chǎn)品的工作效率高達(dá)90%(輸出電流為3A時(shí)),并采用散熱性能出色的封裝,工作時(shí)的發(fā)熱溫度僅為65℃左右,因此客戶無(wú)需采取散熱措施,從而有助于提高應(yīng)用的可靠性。
與具有同等性能的普通產(chǎn)品(6.0mm×4.0mm×0.8mm)相比,尺寸減少約60%,而且還可以減少外圍部件的數(shù)量。
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