存儲器和SoC設(shè)計需要高精確度、快速的仿真性能，以確保設(shè)計出的存儲器和SoC能夠滿足功能預(yù)期和芯片規(guī)格。

在芯片驗證過程中需要考慮版圖后寄生效應(yīng)的影響，特別是對于先進(jìn)工藝節(jié)點而言，版圖后寄生效應(yīng)對芯片功能影響的重要性愈發(fā)突出。

新的FastSPICE解析器在開發(fā)時采用了創(chuàng)新工程設(shè)計，為Spectre FX Simulator 提供了突破性的性能和精確度。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:3.5 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:88 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:4.1 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.8 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 長度:2.9 mm 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:1.6 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 下降時間:7.7 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:13 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:17 ns 典型接通延遲時間:5.5 ns 零件號別名:SI2307CDS-T1-BE3 SI2307CDS-GE3 單位重量:8 mg

新的FastSPICE解析器在開發(fā)時采用創(chuàng)新工程設(shè)計，為Spectre FX Simulator提供突破性性能和精確度。

產(chǎn)品具有最大±0.1％的獨立線性規(guī)格，IP65密封等級和-40°C至+85°C的工作溫度范圍。Bourns先進(jìn)的混合設(shè)計使HES38U-RS485型號具有更高的線性度，分辨率和準(zhǔn)確性。

這款堅固的位置傳感器具有很高的重復(fù)性，并能抵抗振動/沖擊和流體/灰塵進(jìn)入，是各種工業(yè)反饋應(yīng)用的最佳解決方案，包括患者平臺定位、3D成像位置、氣動控制閥位置和執(zhí)行器電機(jī)位置以及自動化制造機(jī)器人。

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