在不同的峰值脈沖電流條件下，兩款新元件的端接電壓也不相同：當(dāng)峰值脈沖電流為8 A時，鉗位電壓為7.2 V；當(dāng)峰值脈沖電流為16 A時，端接電壓為8 V。

不同類型的新元件可提供不同的寄生電容，其中SD0201SL-GP101型的寄生電容為12 pF，而SD01005SL-GP101型的寄生電容為5 pF。

此外，新元件還具有其他特點和優(yōu)勢，比如響應(yīng)時間短，漏電流低（僅2 nA@3.3 V）。

新型保護元件的設(shè)計滿足IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，其ESD接觸放電電壓可達24 kV，大幅領(lǐng)先于標(biāo)準(zhǔn)要求。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TO-263-3-2

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V

Id-連續(xù)漏極電流: 17 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 670 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 88 nC

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 227 W

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: CoolMOS

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

系列: CoolMOS C3A

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 12 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 15 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 72 ns

典型接通延遲時間: 25 ns

零件號別名: IPB80R290C3A SP002890376

單位重量: 324 mg

共提供三種類型的封裝： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用雙列直插式封裝TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用絕緣型直插式封裝TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用貼片式封裝DPAK。

此外，它們繼承了現(xiàn)有工藝U-MOSVIII-H的低柵極開關(guān)電荷特性。這降低了漏源導(dǎo)通電阻x柵極開關(guān)電荷的值（開關(guān)應(yīng)用的品質(zhì)因數(shù)）。

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