冗余技術(shù)或電流傳感技術(shù)相結(jié)合多向彈性觸點(diǎn)產(chǎn)品的電流測(cè)量
發(fā)布時(shí)間:2021/8/5 22:59:53 訪問次數(shù):238
Pasternack的新5G全向天線、膠棒天線和內(nèi)置圓頂天線均有現(xiàn)貨,可立即發(fā)貨,無最低訂購量(MOQ)要求。
多向彈性觸點(diǎn)產(chǎn)品非常成功,組件已經(jīng)能夠提供一種更加靈活的方法來連接電路板以適應(yīng)不同的布局。
在Harwin推出這些產(chǎn)品之后,我們收到了許多客戶要求,他們需要更加小巧緊湊、具備更小占位面積和更小外形的產(chǎn)品,這就是我們發(fā)布S1961-46R和S1971-46R的初衷,通過采用這些新產(chǎn)品,我們客戶可以滿足更廣泛的應(yīng)用要求。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-TO-263-3-2
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 17 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 670 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 88 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 227 W
資格: AEC-Q101
商標(biāo)名: CoolMOS
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
系列: CoolMOS C3A
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 12 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 15 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 72 ns
典型接通延遲時(shí)間: 25 ns
零件號(hào)別名: IPB80R290C3A SP002890376
單位重量: 324 mg

在CUR 4000的線性模式下,可配置的霍爾元件陣列可實(shí)現(xiàn)有核雜散場(chǎng)魯棒傳感器模塊設(shè)計(jì)的高精度測(cè)量。差模可實(shí)現(xiàn)無屏蔽的最小無核和雜散場(chǎng)魯棒系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
此外,傳感器還提供無磁滯的輸出信號(hào)!0.2%的非線性誤差和滿量程的±0.005%的噪聲性能允許在高達(dá)8kHz的信號(hào)帶寬下進(jìn)行精確的電流測(cè)量。
根據(jù)ISO 26262的規(guī)定,CUR 4000被定義為支持SEooC ASIL-B,具有數(shù)種板載診斷功能,該功能使用冗余技術(shù)或與其他電流傳感技術(shù)相結(jié)合,為具有更高ASIL級(jí)別的電流傳感器模塊奠定了基礎(chǔ)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
Pasternack的新5G全向天線、膠棒天線和內(nèi)置圓頂天線均有現(xiàn)貨,可立即發(fā)貨,無最低訂購量(MOQ)要求。
多向彈性觸點(diǎn)產(chǎn)品非常成功,組件已經(jīng)能夠提供一種更加靈活的方法來連接電路板以適應(yīng)不同的布局。
在Harwin推出這些產(chǎn)品之后,我們收到了許多客戶要求,他們需要更加小巧緊湊、具備更小占位面積和更小外形的產(chǎn)品,這就是我們發(fā)布S1961-46R和S1971-46R的初衷,通過采用這些新產(chǎn)品,我們客戶可以滿足更廣泛的應(yīng)用要求。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-TO-263-3-2
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 17 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 670 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 88 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 227 W
資格: AEC-Q101
商標(biāo)名: CoolMOS
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
系列: CoolMOS C3A
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 12 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 15 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 72 ns
典型接通延遲時(shí)間: 25 ns
零件號(hào)別名: IPB80R290C3A SP002890376
單位重量: 324 mg

在CUR 4000的線性模式下,可配置的霍爾元件陣列可實(shí)現(xiàn)有核雜散場(chǎng)魯棒傳感器模塊設(shè)計(jì)的高精度測(cè)量。差?蓪(shí)現(xiàn)無屏蔽的最小無核和雜散場(chǎng)魯棒系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
此外,傳感器還提供無磁滯的輸出信號(hào)!0.2%的非線性誤差和滿量程的±0.005%的噪聲性能允許在高達(dá)8kHz的信號(hào)帶寬下進(jìn)行精確的電流測(cè)量。
根據(jù)ISO 26262的規(guī)定,CUR 4000被定義為支持SEooC ASIL-B,具有數(shù)種板載診斷功能,該功能使用冗余技術(shù)或與其他電流傳感技術(shù)相結(jié)合,為具有更高ASIL級(jí)別的電流傳感器模塊奠定了基礎(chǔ)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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