EVALSTPM-3PHISO一個專門為三相隔離電表系統(tǒng)用例制作的參考設(shè)計。

具有1200Vpeak的最大工作隔離電壓(VIOWM)和高沖擊耐受電壓(VIOTM)，STISO621電流隔離功能不隨時間變化，在任何系統(tǒng)故障期間，保持電流隔離功能的完整性。

有兩款封裝可選，STISO621采用4mm爬電距離和電氣間隙的SO8窄體封裝，VIOTM 電壓為4800V。STISO621W采用爬電距離和間隙為8mm的SO8寬體封裝，VIOTM為6000V。

在-40°C到125°C的溫度范圍皆可保證其高性能。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 80 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 190 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 28 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 29 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 39 ns

典型接通延遲時間: 14 ns

零件號別名: IPB80N06S2-09 SP001061716

單位重量: 4 g

TDK專為直流鏈路應(yīng)用開發(fā)了模塊化且通用的電力電容器概念。該系列電容器結(jié)合新一代的IGBT模塊，有望快速為牽引、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用帶來緊湊型逆變器。

市場對逆變器和所需直流鏈路電容器的要求日益嚴(yán)格，其中包括以緊湊尺寸提供高能量密度、控制快速開關(guān)操作、大電流能力、高工作溫度、與IGBT模塊的機(jī)械兼容性，以及長使用壽命。

ModCap采用并聯(lián)的扁平繞組結(jié)構(gòu)設(shè)計，并填充聚氨酯樹脂。這種設(shè)計使其能盡可能靠近 IGBT 模塊安裝，最大限度縮短了引線。