48V輸入降壓轉換器電路將AS6031超聲波流量傳感器迅速集成
發(fā)布時間:2021/8/7 23:03:28 訪問次數:225
評估板和評估軟件的配套使用為用戶構建了一個便捷的平臺,便于將AS6031或AS6040超聲波流量傳感器迅速集成至他們的測量裝置中。
這將節(jié)省系統配置時間,從而可以更專注于在流量和環(huán)境溫度范圍內應用特性的完善。
AS6040和AS6031超聲波流量傳感器集成了32位CPU內核,包括驅動外部換能器所需的所有功能,可將超聲波飛行時間測量值轉換為流量計算。
這些傳感器以其低功耗、高精度和高靈敏度而著稱。
制造商:Sharp Microelectronics產品種類:光學開關(反射型,光電IC輸出)RoHS: 感應距離:2 mm to 22 mm最小工作溫度:- 10 C最大工作溫度:+ 70 C高電平輸入電壓:4.5 V低電平輸出電壓:0.4 V低電平輸出電流:16 mA高度:8 mm長度:39.8 mm輸出類型:Pull Up, Inverter輸出電壓:30 V感應方式:Reflective波長:950 nm寬度:9 mm商標:Sharp Microelectronics安裝風格:SMD/SMT通道數量:1 Channel下降時間:1 ms高電平輸出電流:50 mAIf - 正向電流:30 mA工作電源電壓:4.75 V to 5.25 V產品類型:Optical Switches, Reflective, Photo IC Output上升時間:1 ms100子類別:Optical Switches單位重量:3.293 g
數據中心和基站等的48V輸入降壓轉換器電路 基站功率放大器單元的升壓轉換器電路 D類音頻放大器 LiDAR驅動電路、便攜式設備的無線充電電路.
柵極-源極間額定電壓(柵極耐壓),可以在柵極和源極之間施加的最大電壓。
GaN(氮化鎵)是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料。與普通的半導體材料硅相比,具有更優(yōu)異的物理性能,目前利用其高頻特性的應用已經開始增加。
HEMT是High Electron Mobility Transistor(高電子遷移率晶體管)的英文首字母縮寫。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
評估板和評估軟件的配套使用為用戶構建了一個便捷的平臺,便于將AS6031或AS6040超聲波流量傳感器迅速集成至他們的測量裝置中。
這將節(jié)省系統配置時間,從而可以更專注于在流量和環(huán)境溫度范圍內應用特性的完善。
AS6040和AS6031超聲波流量傳感器集成了32位CPU內核,包括驅動外部換能器所需的所有功能,可將超聲波飛行時間測量值轉換為流量計算。
這些傳感器以其低功耗、高精度和高靈敏度而著稱。
制造商:Sharp Microelectronics產品種類:光學開關(反射型,光電IC輸出)RoHS: 感應距離:2 mm to 22 mm最小工作溫度:- 10 C最大工作溫度:+ 70 C高電平輸入電壓:4.5 V低電平輸出電壓:0.4 V低電平輸出電流:16 mA高度:8 mm長度:39.8 mm輸出類型:Pull Up, Inverter輸出電壓:30 V感應方式:Reflective波長:950 nm寬度:9 mm商標:Sharp Microelectronics安裝風格:SMD/SMT通道數量:1 Channel下降時間:1 ms高電平輸出電流:50 mAIf - 正向電流:30 mA工作電源電壓:4.75 V to 5.25 V產品類型:Optical Switches, Reflective, Photo IC Output上升時間:1 ms100子類別:Optical Switches單位重量:3.293 g
數據中心和基站等的48V輸入降壓轉換器電路 基站功率放大器單元的升壓轉換器電路 D類音頻放大器 LiDAR驅動電路、便攜式設備的無線充電電路.
柵極-源極間額定電壓(柵極耐壓),可以在柵極和源極之間施加的最大電壓。
GaN(氮化鎵)是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料。與普通的半導體材料硅相比,具有更優(yōu)異的物理性能,目前利用其高頻特性的應用已經開始增加。
HEMT是High Electron Mobility Transistor(高電子遷移率晶體管)的英文首字母縮寫。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)