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壓電式發(fā)聲器驅動器透過陶瓷/壓電式發(fā)聲器最大化聲壓級

發(fā)布時間:2021/8/13 18:28:40 訪問次數(shù):379

天璣920的八核心CPU包含主頻為2.5GHz的Arm Cortex-A78大核,支持LPDDR5內存和UFS 3.1閃存,為終端提供強勁性能。

EL售價很低, 只有4種配置, 沒有配備其他選裝件, 以保證最佳的成本效益。

支持雙卡5G待機、雙卡VoNR通話服務、5G雙載波聚合,集成2x2 MIMO Wi-Fi 6、藍牙5.2和多頻GNSS,配合MediaTek 5G UltraSave省電技術可進一步5G使用體驗。

天璣920支持MediaTek HyperEngine 3.0游戲引擎,先進的來電。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導通電阻: 4.2 mOhms, 4.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 17 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 30 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

晶體管類型: 2 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 38 S, 38 S

下降時間: 3 ns, 3 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 3.8 ns, 3.8 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 17 ns, 17 ns

典型接通延遲時間: 4.7 ns, 4.7 ns

零件號別名: BSC925NDXT SP000934752 BSC0925NDATMA1

單位重量: 96 mg

PAM8907壓電式發(fā)聲器驅動器,透過陶瓷/壓電式發(fā)聲器最大化聲壓級。

PAM8907 內建同步升壓轉換器,能在電池供電的系統(tǒng)中擴展聲壓級,效能超越同類型發(fā)聲器驅動器。該裝置優(yōu)化用于無線追蹤器、工業(yè)用警報系統(tǒng)、醫(yī)療儀器及家用設備。

PAM8907 發(fā)聲器驅動器支持 1.8V 至 5.5V 的寬廣輸入電壓范圍,能滿足各種潛在產品應用。

全新小型易于吸附焊錫的側邊焊盤DFN1006-2A封裝新款雙向非對稱(BiAs)單路ESD保護二極管---VCUT0714BHD1。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)






天璣920的八核心CPU包含主頻為2.5GHz的Arm Cortex-A78大核,支持LPDDR5內存和UFS 3.1閃存,為終端提供強勁性能。

EL售價很低, 只有4種配置, 沒有配備其他選裝件, 以保證最佳的成本效益。

支持雙卡5G待機、雙卡VoNR通話服務、5G雙載波聚合,集成2x2 MIMO Wi-Fi 6、藍牙5.2和多頻GNSS,配合MediaTek 5G UltraSave省電技術可進一步5G使用體驗。

天璣920支持MediaTek HyperEngine 3.0游戲引擎,先進的來電。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TISON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 40 A

Rds On-漏源導通電阻: 4.2 mOhms, 4.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 17 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 30 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

晶體管類型: 2 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 38 S, 38 S

下降時間: 3 ns, 3 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 3.8 ns, 3.8 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 17 ns, 17 ns

典型接通延遲時間: 4.7 ns, 4.7 ns

零件號別名: BSC925NDXT SP000934752 BSC0925NDATMA1

單位重量: 96 mg

PAM8907壓電式發(fā)聲器驅動器,透過陶瓷/壓電式發(fā)聲器最大化聲壓級。

PAM8907 內建同步升壓轉換器,能在電池供電的系統(tǒng)中擴展聲壓級,效能超越同類型發(fā)聲器驅動器。該裝置優(yōu)化用于無線追蹤器、工業(yè)用警報系統(tǒng)、醫(yī)療儀器及家用設備。

PAM8907 發(fā)聲器驅動器支持 1.8V 至 5.5V 的寬廣輸入電壓范圍,能滿足各種潛在產品應用。

全新小型易于吸附焊錫的側邊焊盤DFN1006-2A封裝新款雙向非對稱(BiAs)單路ESD保護二極管---VCUT0714BHD1。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)






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