器件支持的數(shù)據(jù)傳輸超越傳統(tǒng)的并行異步NOR閃存
發(fā)布時(shí)間:2021/8/14 15:50:09 訪問(wèn)次數(shù):333
支持 5000次擦寫(xiě)周期的 SATA M.2 2242 ArmourDrive™ PX 系列固態(tài)硬盤(pán),以及先進(jìn)的具有卓越數(shù)據(jù)保留和支持 6萬(wàn)次、12萬(wàn)次 和行業(yè)領(lǐng)先的 30萬(wàn)次擦寫(xiě) 周期的高耐久性 EX 系列固態(tài)硬盤(pán)。
SATA M.2 2242 ArmourDrive 固態(tài)硬盤(pán)可在工業(yè)級(jí)溫度(-40 至 +85 攝氏度)范圍內(nèi)工作,經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的沖擊和振動(dòng)測(cè)試,適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
PX 系列固態(tài)硬盤(pán)支持64GB、128GB、256GB 和 512GB 容量,采用3D TLC (每單元3比特) NAND 閃存以提供高性價(jià)比的工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)。
高容量抗輻射(RadTol)NOR閃存產(chǎn)品,該產(chǎn)品通過(guò)了MIL-PRF-38535 QML-V流程認(rèn)證。QML-V流程是航天級(jí)IC的最高質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。
英飛凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存儲(chǔ)器可帶來(lái)出色的低引腳數(shù)單芯片解決方案,適用于FPGA配置、圖像存儲(chǔ)、微控制器數(shù)據(jù)和引導(dǎo)代碼存儲(chǔ)等應(yīng)用場(chǎng)合。
在更高時(shí)鐘速率下使用時(shí),器件支持的數(shù)據(jù)傳輸可媲美或超越傳統(tǒng)的并行異步NOR閃存,同時(shí)顯著減少引腳數(shù)。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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系列固態(tài)硬盤(pán)支持64GB、128GB、256GB 和 512GB 容量,采用3D TLC (每單元3比特) NAND 閃存以提供高性價(jià)比的工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)。
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英飛凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存儲(chǔ)器可帶來(lái)出色的低引腳數(shù)單芯片解決方案,適用于FPGA配置、圖像存儲(chǔ)、微控制器數(shù)據(jù)和引導(dǎo)代碼存儲(chǔ)等應(yīng)用場(chǎng)合。
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