B外殼代碼和C外殼代碼器件超高容量Vishay成熟的SuperTan®技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2021/8/18 22:25:31 訪問(wèn)次數(shù):602

B和C外殼新產(chǎn)品，擴(kuò)充其EP1濕鉭電容器，滿足國(guó)防和航空航天應(yīng)用的需求。

電容器每款電壓等級(jí)和外形尺寸器件的容量達(dá)到業(yè)內(nèi)最高水平，提供徑向通孔或表面貼裝端頭，有A、B和C三種外殼代碼，每種均可選擇螺栓固定，從而提高了設(shè)計(jì)靈活性。

增強(qiáng)型EP1采用Vishay成熟的SuperTan®技術(shù)，B外殼代碼和C外殼代碼器件超高容量分別達(dá)到3,600 μF~40,000 μF和5,300 μF~58,000 μF。

電容器標(biāo)準(zhǔn)電容公差為± 20 %，同時(shí)提供公差為± 10 %的產(chǎn)品。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 - ADC

RoHS: 詳細(xì)信息

系列: ADS8342

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TQFP-48

分辨率: 16 bit

通道數(shù)量: 4 Channel

接口類型: Parallel

采樣比: 250 kS/s

輸入類型: Single-Ended

結(jié)構(gòu): SAR

模擬電源電壓: 4.75 V to 5.25 V

數(shù)字電源電壓: 2.7 V to 5.5 V

SNR – 信噪比: 86 dB

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1 mm

長(zhǎng)度: 7 mm

轉(zhuǎn)換器數(shù)量: 1 Converter

功耗: 208 mW

寬度: 7 mm

商標(biāo): Texas Instruments

參考類型: External

開發(fā)套件: ADS8342EVM

DNL - 微分非線性: +/- 2 LSB

INL - 積分非線性: +/- 6 LSB

濕度敏感性: Yes

工作電源電壓: 4.75 V to 5.25 V

Pd-功率耗散: 250 mW

產(chǎn)品類型: ADCs - Analog to Digital Converters

SINAD - 信噪和失真率: 84.6 dB

工廠包裝數(shù)量: 250

子類別: Data Converter ICs

單位重量: 137.400 mg

小尺寸封裝，高度集成，適用于空間受限設(shè)計(jì),AS7038RB將小尺寸、多功能和高性能信號(hào)鏈整合在一起，非常適合OEM在空間受限的消費(fèi)產(chǎn)品和醫(yī)療產(chǎn)品中開發(fā)創(chuàng)新型健康監(jiān)測(cè)應(yīng)用。

當(dāng)它執(zhí)行命令時(shí)，DDR3L將停止所有操作，并切換至最少量活動(dòng)的狀態(tài)，以節(jié)省功耗。

溫度自動(dòng)刷新：?jiǎn)?dòng)后，內(nèi)置于DRAM芯片的溫度傳感器將控制刷新頻率，在保證數(shù)據(jù)不丟失的情況下降低工作溫度，從而降低功耗。

可選擇只刷新部分邏輯Bank，最大限度減少因刷新而產(chǎn)生的電力消耗，以達(dá)到降低功耗的目的。

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