過(guò)采樣/插值DAC的基本原理。N位輸入數(shù)據(jù)字以速率fc接收。數(shù)字插值濾波器以等于過(guò)采樣頻率Kfc的時(shí)鐘速率工作，并插入額外的數(shù)據(jù)點(diǎn)。

在奈奎斯特采樣頻率下,對(duì)模擬抗鏡像濾波器的要求可能相當(dāng)高。通過(guò)過(guò)采樣和插值，可以大大降低對(duì)該濾波器的要求。

制造商:Analog Devices Inc. 產(chǎn)品種類(lèi):RS-422/RS-485 接口 IC 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 系列: 功能:Transceiver 數(shù)據(jù)速率:250 kb/s 激勵(lì)器數(shù)量:1 Driver 接收機(jī)數(shù)量:1 Receiver 電源電壓-最小:4.75 V 電源電壓-最大:5.25 V 工作電源電壓:5 V 工作電源電流:5.5 mA 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C 封裝:Tube 高度:1.75 mm 輸入電壓:5 V 輸出電流:250 mA 輸出類(lèi)型:3-State 產(chǎn)品:RS-422/RS-485 Transceivers 類(lèi)型:Transceiver 商標(biāo):Analog Devices 關(guān)閉:Shutdown 雙工:Half Duplex ESD 保護(hù):15 kV 產(chǎn)品類(lèi)型:RS-422/RS-485 Interface IC 支持協(xié)議:RS-422, RS-485 100 子類(lèi)別:Interface ICs 單位重量:600 mg

在CREE進(jìn)行的評(píng)估中，比較了第二代1200V/20A SiC MOSFET與使用10 KW硬開(kāi)關(guān)交錯(cuò)式Boost DC / DC轉(zhuǎn)換器的硅高速1200 V / 40 A H3 IGBT。

開(kāi)關(guān)頻率是原來(lái)的五倍，SiC解決方案在100KHz時(shí)仍可實(shí)現(xiàn)99.3％的最大效率，與IGBT解決方案在20 KHz時(shí)的最佳效率相比，損耗降低了18％。

CREE最近發(fā)布的C2M MOSFET系列為工程師提供了廣泛的，價(jià)格具有競(jìng)爭(zhēng)力的1200 V和1700 V SiC MOSFET，適用于各種應(yīng)用。

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