Arm®Cortex®-M微控制器和STM32MP15 Cortex-A7微處理器全系產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間:2021/9/12 23:40:26 訪問次數(shù):108
與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的輕觸開關(guān)相比, EL系列的使用壽命更長(zhǎng), 在2N和3.5N的壓力條件下都可以實(shí)現(xiàn)200,000次操作。EL的標(biāo)準(zhǔn)尺寸在工業(yè)、醫(yī)療、消費(fèi)和家用電器市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。
緊湊式EL系列輕觸開關(guān)能夠讓設(shè)計(jì)師靈活地將此開關(guān)設(shè)計(jì)入最常見的應(yīng)用中。創(chuàng)造優(yōu)質(zhì)且低成本的開關(guān)并沒有那么容易,但 C&K 做到了。
支持MediaTek HyperEngine 2.0游戲引擎,可通過調(diào)用網(wǎng)絡(luò)引擎、智能負(fù)載調(diào)控引擎,為玩家?guī)沓两降挠螒蝮w驗(yàn)。
制造商:STMicroelectronics產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管RoHS: 技術(shù):Si封裝 / 箱體:TO-3P安裝風(fēng)格:Through Hole配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V集電極—射極飽和電壓:1.6 V柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:120 APd-功率耗散:469 W最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 C系列:封裝:Tube商標(biāo):STMicroelectronics集電極最大連續(xù)電流 Ic:80 A柵極—射極漏泄電流:250 nA產(chǎn)品類型:IGBT Transistors300子類別:IGBTs單位重量:6.756 g
EL系列具有IP67防護(hù)等級(jí), 是惡劣環(huán)境應(yīng)用的理想選擇。
您的開關(guān)將在使用期間始終保持密封。柔性手感可以更容易實(shí)現(xiàn)前/后鍵程的整合。EL售價(jià)很低, 只有4種配置, 沒有配備其他選裝件, 以保證最佳的成本效益。

(素材來源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的輕觸開關(guān)相比, EL系列的使用壽命更長(zhǎng), 在2N和3.5N的壓力條件下都可以實(shí)現(xiàn)200,000次操作。EL的標(biāo)準(zhǔn)尺寸在工業(yè)、醫(yī)療、消費(fèi)和家用電器市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。
緊湊式EL系列輕觸開關(guān)能夠讓設(shè)計(jì)師靈活地將此開關(guān)設(shè)計(jì)入最常見的應(yīng)用中。創(chuàng)造優(yōu)質(zhì)且低成本的開關(guān)并沒有那么容易,但 C&K 做到了。
支持MediaTek HyperEngine 2.0游戲引擎,可通過調(diào)用網(wǎng)絡(luò)引擎、智能負(fù)載調(diào)控引擎,為玩家?guī)沓两降挠螒蝮w驗(yàn)。
制造商:STMicroelectronics產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管RoHS: 技術(shù):Si封裝 / 箱體:TO-3P安裝風(fēng)格:Through Hole配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V集電極—射極飽和電壓:1.6 V柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:120 APd-功率耗散:469 W最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 C系列:封裝:Tube商標(biāo):STMicroelectronics集電極最大連續(xù)電流 Ic:80 A柵極—射極漏泄電流:250 nA產(chǎn)品類型:IGBT Transistors300子類別:IGBTs單位重量:6.756 g
EL系列具有IP67防護(hù)等級(jí), 是惡劣環(huán)境應(yīng)用的理想選擇。
您的開關(guān)將在使用期間始終保持密封。柔性手感可以更容易實(shí)現(xiàn)前/后鍵程的整合。EL售價(jià)很低, 只有4種配置, 沒有配備其他選裝件, 以保證最佳的成本效益。

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