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雙極MOSFET中同步Sub-6 GHz和mmWave基帶輔助功能

發(fā)布時間:2021/9/20 5:57:13 訪問次數(shù):176

加速卡的構(gòu)建方式使基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)商和運營商能夠利用高能效的5G、低延遲和高性能，同時促進(jìn)蜂窩生態(tài)系統(tǒng)適應(yīng)虛擬化無線接入網(wǎng)絡(luò)（RAN）。

該工具是一個PCIe內(nèi)聯(lián)加速器卡,具有同步Sub-6 GHz和mmWave基帶輔助功能，它是為簡化5G部署而建立的,提供了一個預(yù)集成的解決方案，使5G NR第一層高（L1）和O-RAN前導(dǎo)處理的部署更加容易。

該PCIe卡的構(gòu)建方式使其能夠連接到現(xiàn)成的商用（COTS）服務(wù)器，以取代原本需要CPU承擔(dān)的計算密集型和延遲敏感型5G基帶功能，如大容量、信道編碼、波束成形和解調(diào)部署所需的大規(guī)模MIMO計算。

制造商:Intel產(chǎn)品種類:以太網(wǎng) ICRoHS: 詳細(xì)信息安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:QFN-64 EP產(chǎn)品:Ethernet PHYs標(biāo)準(zhǔn):1GBASE-T收發(fā)器數(shù)量:1 Transceiver數(shù)據(jù)速率:10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s接口類型:GMII, MII工作電源電壓:3.3 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 70 C系列:I211封裝:Tray商標(biāo):Intel長度:9 mm濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:Ethernet ICs工廠包裝數(shù)量:1子類別:Communication & Networking ICs電源電壓-最大:3.465 V電源電壓-最小:2.97 V寬度:9 mm零件號別名:925145單位重量:6 g

在ROHM此次開發(fā)的業(yè)界先進(jìn)的雙極MOSFET中，采用了新工藝的、±40V耐壓的產(chǎn)品與普通產(chǎn)品相比，Pch部分的導(dǎo)通電阻降低多達(dá)61％，Nch部分的導(dǎo)通電阻也降低達(dá)39％，有助于降低各種設(shè)備的功耗。

具備只有雙極MOSFET才有的特點，有助于實現(xiàn)設(shè)備的小型化和縮短設(shè)計周期.

在小型化方面，如果將以往的Nch+Pch雙極MOSFET（SOP8）替換成新產(chǎn)品（TSMT8），安裝面積可減少75%。

通過在一個封裝中內(nèi)置兩枚器件，有助于設(shè)備的小型化和減少器件選型的時間。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

加速卡的構(gòu)建方式使基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)商和運營商能夠利用高能效的5G、低延遲和高性能，同時促進(jìn)蜂窩生態(tài)系統(tǒng)適應(yīng)虛擬化無線接入網(wǎng)絡(luò)（RAN）。

該工具是一個PCIe內(nèi)聯(lián)加速器卡,具有同步Sub-6 GHz和mmWave基帶輔助功能，它是為簡化5G部署而建立的,提供了一個預(yù)集成的解決方案，使5G NR第一層高（L1）和O-RAN前導(dǎo)處理的部署更加容易。

該PCIe卡的構(gòu)建方式使其能夠連接到現(xiàn)成的商用（COTS）服務(wù)器，以取代原本需要CPU承擔(dān)的計算密集型和延遲敏感型5G基帶功能，如大容量、信道編碼、波束成形和解調(diào)部署所需的大規(guī)模MIMO計算。

制造商:Intel產(chǎn)品種類:以太網(wǎng) ICRoHS: 詳細(xì)信息安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:QFN-64 EP產(chǎn)品:Ethernet PHYs標(biāo)準(zhǔn):1GBASE-T收發(fā)器數(shù)量:1 Transceiver數(shù)據(jù)速率:10 Mb/s, 100 Mb/s, 1 Gb/s接口類型:GMII, MII工作電源電壓:3.3 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 70 C系列:I211封裝:Tray商標(biāo):Intel長度:9 mm濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:Ethernet ICs工廠包裝數(shù)量:1子類別:Communication & Networking ICs電源電壓-最大:3.465 V電源電壓-最小:2.97 V寬度:9 mm零件號別名:925145單位重量:6 g

在ROHM此次開發(fā)的業(yè)界先進(jìn)的雙極MOSFET中，采用了新工藝的、±40V耐壓的產(chǎn)品與普通產(chǎn)品相比，Pch部分的導(dǎo)通電阻降低多達(dá)61％，Nch部分的導(dǎo)通電阻也降低達(dá)39％，有助于降低各種設(shè)備的功耗。

具備只有雙極MOSFET才有的特點，有助于實現(xiàn)設(shè)備的小型化和縮短設(shè)計周期.

在小型化方面，如果將以往的Nch+Pch雙極MOSFET（SOP8）替換成新產(chǎn)品（TSMT8），安裝面積可減少75%。

通過在一個封裝中內(nèi)置兩枚器件，有助于設(shè)備的小型化和減少器件選型的時間。

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