微型STM32無線微控制器(MCU)模塊集成度并節(jié)省更多成本
發(fā)布時(shí)間:2021/9/21 16:23:23 訪問次數(shù):137
通過在與晶體管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封裝中組合偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻，RET可以節(jié)省空間并降低制造成本。
SOT363封裝還提供雙RET（兩個(gè)晶體管和兩個(gè)匹配偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻）， Ptot為350 mW，可實(shí)現(xiàn)更高集成度并節(jié)省更多成本。
新系列（NHDTx和NHUMx）包括42個(gè)具有PNP/NPN組合的器件，這些器件帶有與Nexperia的50 V器件相同的偏置電阻組合。器件具有100 mA的電流能力，并已獲得AEC-Q101認(rèn)證。
一個(gè)新的加快物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品上市的解決方案，該方案可利用現(xiàn)成的微型STM32無線微控制器(MCU)模塊加快基于Bluetooth® LE和802.15.4新物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的開發(fā)周期。
器件為系統(tǒng)補(bǔ)充能量提供了令人振奮的可能性，確保持續(xù)不斷地對(duì)設(shè)備電池進(jìn)行充電。
通過采用1200V Wolfspeed® MOSFET 技術(shù)，該新型模塊在簡(jiǎn)單易用的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)效率最佳化，從而幫助設(shè)計(jì)人員開發(fā)出尺寸更小、擴(kuò)展性更好的電源系統(tǒng)，并顯著提升其效率和性能。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
通過在與晶體管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封裝中組合偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻，RET可以節(jié)省空間并降低制造成本。
SOT363封裝還提供雙RET（兩個(gè)晶體管和兩個(gè)匹配偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻）， Ptot為350 mW，可實(shí)現(xiàn)更高集成度并節(jié)省更多成本。
新系列（NHDTx和NHUMx）包括42個(gè)具有PNP/NPN組合的器件，這些器件帶有與Nexperia的50 V器件相同的偏置電阻組合。器件具有100 mA的電流能力，并已獲得AEC-Q101認(rèn)證。
一個(gè)新的加快物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品上市的解決方案，該方案可利用現(xiàn)成的微型STM32無線微控制器(MCU)模塊加快基于Bluetooth® LE和802.15.4新物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的開發(fā)周期。
器件為系統(tǒng)補(bǔ)充能量提供了令人振奮的可能性，確保持續(xù)不斷地對(duì)設(shè)備電池進(jìn)行充電。
通過采用1200V Wolfspeed® MOSFET 技術(shù)，該新型模塊在簡(jiǎn)單易用的封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)效率最佳化，從而幫助設(shè)計(jì)人員開發(fā)出尺寸更小、擴(kuò)展性更好的電源系統(tǒng)，并顯著提升其效率和性能。
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