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高速和低損耗以及高溫工作的5μs額定短路耐受時間

發(fā)布時間:2021/9/25 16:14:43 訪問次數(shù):428

750V、6mΩ器件,從而響應(yīng)了電源設(shè)計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的需求。

這款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET競爭產(chǎn)品的一半,并且還提供了魯棒的5μs額定短路耐受時間。

今天所發(fā)布的產(chǎn)品包括750V SiC FET系列中的9種新器件/封裝選項,額定值為6、9、11、23、33和44mΩ。所有器件均有采用TO-247-4L封裝的方案,同時18、23、33、44和60mΩ器件還提供了采用TO-247-3L封裝的方案。

制造商:NXP產(chǎn)品種類:CAN 接口集成電路RoHS: 詳細信息安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8系列:TJA1044類型:High Speed數(shù)據(jù)速率:5 Mb/s激勵器數(shù)量:1 Driver接收機數(shù)量:1 Receiver電源電壓-最大:5.25 V電源電壓-最小:4.75 V工作電源電流:80 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 150 C封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):NXP Semiconductors高度:1.45 mm長度:5 mm通道數(shù)量:1 Channel工作電源電壓:4.75 V to 5.25 V產(chǎn)品:CAN Transceivers產(chǎn)品類型:CAN Interface IC傳播延遲時間:210 ns工廠包裝數(shù)量:2500子類別:Interface ICs寬度:4 mm零件號別名:935301676118單位重量:72.156 mg

UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓撲結(jié)構(gòu),其內(nèi)部集成了一個SiC JFET并將之與一個硅MOSFET封裝在一起。

這兩者結(jié)合起來就提供了寬禁帶技術(shù)的全部優(yōu)勢——可實現(xiàn)高速和低損耗以及高溫工作,同時還可保持簡單、穩(wěn)定和魯棒的柵極驅(qū)動,并具有集成的ESD保護。

RDS(on)×EOSS/QOSS這一FoM在硬開關(guān)應(yīng)用中很重要,第4代SiC FET的這個值是最接近的競爭對手值的一半。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

750V、6mΩ器件,從而響應(yīng)了電源設(shè)計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的需求。

這款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET競爭產(chǎn)品的一半,并且還提供了魯棒的5μs額定短路耐受時間。

今天所發(fā)布的產(chǎn)品包括750V SiC FET系列中的9種新器件/封裝選項,額定值為6、9、11、23、33和44mΩ。所有器件均有采用TO-247-4L封裝的方案,同時18、23、33、44和60mΩ器件還提供了采用TO-247-3L封裝的方案。

制造商:NXP產(chǎn)品種類:CAN 接口集成電路RoHS: 詳細信息安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8系列:TJA1044類型:High Speed數(shù)據(jù)速率:5 Mb/s激勵器數(shù)量:1 Driver接收機數(shù)量:1 Receiver電源電壓-最大:5.25 V電源電壓-最小:4.75 V工作電源電流:80 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 150 C封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):NXP Semiconductors高度:1.45 mm長度:5 mm通道數(shù)量:1 Channel工作電源電壓:4.75 V to 5.25 V產(chǎn)品:CAN Transceivers產(chǎn)品類型:CAN Interface IC傳播延遲時間:210 ns工廠包裝數(shù)量:2500子類別:Interface ICs寬度:4 mm零件號別名:935301676118單位重量:72.156 mg

UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓撲結(jié)構(gòu),其內(nèi)部集成了一個SiC JFET并將之與一個硅MOSFET封裝在一起。

這兩者結(jié)合起來就提供了寬禁帶技術(shù)的全部優(yōu)勢——可實現(xiàn)高速和低損耗以及高溫工作,同時還可保持簡單、穩(wěn)定和魯棒的柵極驅(qū)動,并具有集成的ESD保護。

RDS(on)×EOSS/QOSS這一FoM在硬開關(guān)應(yīng)用中很重要,第4代SiC FET的這個值是最接近的競爭對手值的一半。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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