AC/DC或DC/DC功率轉(zhuǎn)換中單向和雙向功率轉(zhuǎn)換的所有階段
發(fā)布時間:2021/9/25 16:24:05 訪問次數(shù):131
這一750V擴展系列與現(xiàn)有的18和60mΩ器件相輔相成，其為設(shè)計人員提供了更多的器件方案，實現(xiàn)了更大的設(shè)計靈活性，因此可實現(xiàn)最佳的性價比權(quán)衡，同時保持充足的設(shè)計裕度和電路魯棒性。
此外，LCW320系列還具有電源“開啟”LED。作為一個選項，可提供保形涂層版本。
這些優(yōu)勢可通過品質(zhì)因數(shù)(FoM)進行量化，例如RDS(on)×A，這個指標衡量了每單位芯片面積的傳導損耗。在這一指標上，第4代SiC FET在高低裸片溫度下均可達到市場最低值。
制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:運算放大器 - 運放RoHS: 詳細信息安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8每個通道的輸出電流:10 mAVos - 輸入偏置電壓 :5 mV最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 CIb - 輸入偏流:10 pACMRR - 共模抑制比:82 dB系列:OPA2348-Q1資格:AEC-Q100封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel放大器類型:General Purpose Amplifier商標:Texas Instruments高度:1.58 mmIn—輸入噪聲電流密度:0.004 pA/sqrt Hz輸入類型:Rail-to-Rail長度:4.9 mm濕度敏感性:Yes工作電源電壓:2.1 V to 5.5 V輸出類型:Rail-to-Rail產(chǎn)品:Operational Amplifiers產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational AmplifiersPSRR - 電源抑制比:84.44 dB工廠包裝數(shù)量:2500子類別:Amplifier ICs電源類型:Single技術(shù):CMOS電壓增益 dB:108 dB寬度:3.91 mm單位重量:76 mg
電動汽車中的牽引驅(qū)動器以及車載和非車載充電器，以及可再生能源逆變器、功率因數(shù)校正、電信轉(zhuǎn)換器以及所有AC/DC或DC/DC功率轉(zhuǎn)換中單向和雙向功率轉(zhuǎn)換的所有階段。
成熟的應(yīng)用也可以從使用這種器件中受益——可以憑借其與Si MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器以及成熟的TO-247封裝的向后兼容性來輕松提高效率。
UnitedSiC第4代SiC FET無疑是競爭技術(shù)中的性能領(lǐng)導者，并為寬禁帶開關(guān)技術(shù)樹立了新的標桿。新增的產(chǎn)品系列現(xiàn)在為所有的性能和預算規(guī)格以及更廣泛的應(yīng)用提供了更多選擇。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
這一750V擴展系列與現(xiàn)有的18和60mΩ器件相輔相成，其為設(shè)計人員提供了更多的器件方案，實現(xiàn)了更大的設(shè)計靈活性，因此可實現(xiàn)最佳的性價比權(quán)衡，同時保持充足的設(shè)計裕度和電路魯棒性。
此外，LCW320系列還具有電源“開啟”LED。作為一個選項，可提供保形涂層版本。
這些優(yōu)勢可通過品質(zhì)因數(shù)(FoM)進行量化，例如RDS(on)×A，這個指標衡量了每單位芯片面積的傳導損耗。在這一指標上，第4代SiC FET在高低裸片溫度下均可達到市場最低值。
制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:運算放大器 - 運放RoHS: 詳細信息安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8每個通道的輸出電流:10 mAVos - 輸入偏置電壓 :5 mV最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 CIb - 輸入偏流:10 pACMRR - 共模抑制比:82 dB系列:OPA2348-Q1資格:AEC-Q100封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel放大器類型:General Purpose Amplifier商標:Texas Instruments高度:1.58 mmIn—輸入噪聲電流密度:0.004 pA/sqrt Hz輸入類型:Rail-to-Rail長度:4.9 mm濕度敏感性:Yes工作電源電壓:2.1 V to 5.5 V輸出類型:Rail-to-Rail產(chǎn)品:Operational Amplifiers產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational AmplifiersPSRR - 電源抑制比:84.44 dB工廠包裝數(shù)量:2500子類別:Amplifier ICs電源類型:Single技術(shù):CMOS電壓增益 dB:108 dB寬度:3.91 mm單位重量:76 mg
電動汽車中的牽引驅(qū)動器以及車載和非車載充電器，以及可再生能源逆變器、功率因數(shù)校正、電信轉(zhuǎn)換器以及所有AC/DC或DC/DC功率轉(zhuǎn)換中單向和雙向功率轉(zhuǎn)換的所有階段。
成熟的應(yīng)用也可以從使用這種器件中受益——可以憑借其與Si MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器以及成熟的TO-247封裝的向后兼容性來輕松提高效率。
UnitedSiC第4代SiC FET無疑是競爭技術(shù)中的性能領(lǐng)導者，并為寬禁帶開關(guān)技術(shù)樹立了新的標桿。新增的產(chǎn)品系列現(xiàn)在為所有的性能和預算規(guī)格以及更廣泛的應(yīng)用提供了更多選擇。
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