充電用調(diào)整器IC可對應(yīng)2.3V鋰二次電池的充電電壓的電壓要求，即使考慮到偏差，也可以輸出不超過二次電池的上限充電電壓。還可將從不充電時的二次電池流到充電IC的吸收電流(sink current)抑制得很小，大大有助于延長電池驅(qū)動時間。

CE功能可以關(guān)閉穩(wěn)壓器輸出,并使IC進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài),在該狀態(tài)下可以大幅度降低電源電流。

可用的封裝陣容包括SSOT-24，USPN-4和USP-6B06，它們非常適合諸如需要高密度安裝的移動設(shè)備或需要薄型元件的智能卡之類的應(yīng)用。

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V

Id-連續(xù)漏極電流: 17 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 85 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 19 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 107 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 1.2 ns

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 3.7 ns

系列: XPP17N25

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 7.5 ns

典型接通延遲時間: 4.4 ns

寬度: 4.4 mm

零件號別名: SP001025116 IPP17N25S3100AKSA1

單位重量: 2 g

M80 5G調(diào)制解調(diào)器已按照行業(yè)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測試.

預(yù)計將于2021年向客戶送樣,M80還集成BWP動態(tài)帶寬調(diào)控技術(shù)，自動適配低帶寬或高帶寬以滿足數(shù)據(jù)吞吐量的不同需求，最大程度優(yōu)化帶寬使用。此外，M80還支持C-DRX節(jié)能管理技術(shù)，可自動切換激活和休眠狀態(tài)，保持連接狀態(tài)的同時降低通信功耗。

同時，MediaTek作為OpenRF聯(lián)盟的創(chuàng)始成員，將繼續(xù)協(xié)助5G設(shè)備制造商通過可互操作的5G射頻前端（RFFE）解決方案，加快產(chǎn)品上市進(jìn)程。

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