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125μA的總線泄露電流與其他線性3D霍爾效應(yīng)位置傳感器

發(fā)布時(shí)間:2021/10/19 12:49:37 訪問次數(shù):110

智能工廠擁有越來越多的高度自動(dòng)化系統(tǒng),這些系統(tǒng)必須在更加集成的制造流程中運(yùn)行,同時(shí)同步收集數(shù)據(jù)以控制流程,具有更高精度、速度和能效的3D位置感應(yīng)技術(shù)對于自動(dòng)化設(shè)備至關(guān)重要,該技術(shù)可以快速實(shí)現(xiàn)精確的實(shí)時(shí)控制以提高系統(tǒng)效率和性能,同時(shí)減少停機(jī)時(shí)間。

TMAG5170提供多種操作模式,與其他線性3D霍爾效應(yīng)位置傳感器相比,在保持系統(tǒng)性能的同時(shí),功耗至少可降低70%。利用這些可配置的模式,工程師能夠在1 SPS至20 kSPS采樣范圍內(nèi)為電池供電器件或關(guān)注系統(tǒng)效率的輕負(fù)載模式中降低功耗。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:門驅(qū)動(dòng)器RoHS: 詳細(xì)信息產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers類型:Half-Bridge安裝風(fēng)格:SMD/SMT激勵(lì)器數(shù)量:1 Driver輸出端數(shù)量:1 Output輸出電流:2.5 A電源電壓-最小:3.5 V電源電壓-最大:7 V配置:High Side, Low Side上升時(shí)間:60 ns下降時(shí)間:60 ns最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 150 C封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):Infineon Technologies濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:Gate Drivers工廠包裝數(shù)量:5000子類別:PMIC - Power Management ICs零件號(hào)別名:TLF11251LD SP001688206

RAA78815x產(chǎn)品家族的關(guān)鍵特性

±5000V的EFT抗擾度

±16000V的ESD抗擾度

在Rd=54Ω負(fù)載中,具有3.1V電壓(典型值)

低至125μA的總線泄露電流、550μA的電源泄露電流,和70nA的關(guān)斷電流

超小型3mmx5mmMSOP及6mmx8.6mmSOIC封裝

支持多種數(shù)據(jù)速率,以及全雙工(RAA788150、RAA788153和RAA788156)和半雙工(RAA788152、RAA788155和RAA788158)模式.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

智能工廠擁有越來越多的高度自動(dòng)化系統(tǒng),這些系統(tǒng)必須在更加集成的制造流程中運(yùn)行,同時(shí)同步收集數(shù)據(jù)以控制流程,具有更高精度、速度和能效的3D位置感應(yīng)技術(shù)對于自動(dòng)化設(shè)備至關(guān)重要,該技術(shù)可以快速實(shí)現(xiàn)精確的實(shí)時(shí)控制以提高系統(tǒng)效率和性能,同時(shí)減少停機(jī)時(shí)間。

TMAG5170提供多種操作模式,與其他線性3D霍爾效應(yīng)位置傳感器相比,在保持系統(tǒng)性能的同時(shí),功耗至少可降低70%。利用這些可配置的模式,工程師能夠在1 SPS至20 kSPS采樣范圍內(nèi)為電池供電器件或關(guān)注系統(tǒng)效率的輕負(fù)載模式中降低功耗。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:門驅(qū)動(dòng)器RoHS: 詳細(xì)信息產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers類型:Half-Bridge安裝風(fēng)格:SMD/SMT激勵(lì)器數(shù)量:1 Driver輸出端數(shù)量:1 Output輸出電流:2.5 A電源電壓-最小:3.5 V電源電壓-最大:7 V配置:High Side, Low Side上升時(shí)間:60 ns下降時(shí)間:60 ns最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 150 C封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):Infineon Technologies濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:Gate Drivers工廠包裝數(shù)量:5000子類別:PMIC - Power Management ICs零件號(hào)別名:TLF11251LD SP001688206

RAA78815x產(chǎn)品家族的關(guān)鍵特性

±5000V的EFT抗擾度

±16000V的ESD抗擾度

在Rd=54Ω負(fù)載中,具有3.1V電壓(典型值)

低至125μA的總線泄露電流、550μA的電源泄露電流,和70nA的關(guān)斷電流

超小型3mmx5mmMSOP及6mmx8.6mmSOIC封裝

支持多種數(shù)據(jù)速率,以及全雙工(RAA788150、RAA788153和RAA788156)和半雙工(RAA788152、RAA788155和RAA788158)模式.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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