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嵌入式無(wú)線(xiàn)模塊頻率從300MHz到1GHz SiW1712是高度集成的

發(fā)布時(shí)間:2021/10/23 15:01:47 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):107

數(shù)據(jù)收發(fā)器模塊EWD-900-HDTC，這種嵌入式無(wú)線(xiàn)模塊的頻率從300MHz到1GHz。全集成的半雙工無(wú)線(xiàn)FSK收發(fā)的尺寸為0.7x0.7x0.2英吋，使它很適合用在視頻游戲，資產(chǎn)跟蹤和工業(yè)過(guò)程監(jiān)視。

除了50-W天線(xiàn)，收發(fā)器不需要外接RF元件,發(fā)送和接收距離從500英尺到800英尺。能處理從UART來(lái)的原始數(shù)據(jù)，也能通過(guò)內(nèi)置的用Manchester編碼的數(shù)據(jù)編譯碼器發(fā)送和接收數(shù)據(jù)。

板上的EEPROM存儲(chǔ)了獨(dú)特的鑒別號(hào)碼和調(diào)整校對(duì)信息。收發(fā)器工作在128個(gè)通道，數(shù)據(jù)速率為0.6-76.8kbps。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:4 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:60 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:500 mV Qg-柵極電荷:2.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:950 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Diodes Incorporated 配置:Single 下降時(shí)間:5.1 ns 正向跨導(dǎo) - 最小值:7.5 S 高度:1.02 mm 長(zhǎng)度:3.04 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:4.2 ns 工廠(chǎng)包裝數(shù)量3000 子類(lèi)別:MOSFETs 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:9.9 ns 典型接通延遲時(shí)間:2.65 ns 寬度:1.4 mm 單位重量:8 mg

24 MIPS的微控制器集成了全速USB 2.0功能控制器以及PHY和時(shí)鐘恢復(fù)電路。

其它特性包括有16KB閃存，2304B RAM，21個(gè)I/O引腳，精度為1.5%的內(nèi)部振蕩器，10位200kSPS(取樣/秒)的ADC，溫度傳感器，UART和用于SMBus和SPI總線(xiàn)的接口。

SiW1712是高度集成的，所有的有源元件都包含在片上，使OEM能得到低的總系統(tǒng)BOM成本。器件還有片上調(diào)試電路，能在系統(tǒng)全速調(diào)試，修改寄存器和存儲(chǔ)器也可提供開(kāi)發(fā)工具。

(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

數(shù)據(jù)收發(fā)器模塊EWD-900-HDTC，這種嵌入式無(wú)線(xiàn)模塊的頻率從300MHz到1GHz。全集成的半雙工無(wú)線(xiàn)FSK收發(fā)的尺寸為0.7x0.7x0.2英吋，使它很適合用在視頻游戲，資產(chǎn)跟蹤和工業(yè)過(guò)程監(jiān)視。

除了50-W天線(xiàn)，收發(fā)器不需要外接RF元件,發(fā)送和接收距離從500英尺到800英尺。能處理從UART來(lái)的原始數(shù)據(jù)，也能通過(guò)內(nèi)置的用Manchester編碼的數(shù)據(jù)編譯碼器發(fā)送和接收數(shù)據(jù)。

板上的EEPROM存儲(chǔ)了獨(dú)特的鑒別號(hào)碼和調(diào)整校對(duì)信息。收發(fā)器工作在128個(gè)通道，數(shù)據(jù)速率為0.6-76.8kbps。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:4 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:60 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:500 mV Qg-柵極電荷:2.8 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:950 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Diodes Incorporated 配置:Single 下降時(shí)間:5.1 ns 正向跨導(dǎo) - 最小值:7.5 S 高度:1.02 mm 長(zhǎng)度:3.04 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:4.2 ns 工廠(chǎng)包裝數(shù)量3000 子類(lèi)別:MOSFETs 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:9.9 ns 典型接通延遲時(shí)間:2.65 ns 寬度:1.4 mm 單位重量:8 mg

24 MIPS的微控制器集成了全速USB 2.0功能控制器以及PHY和時(shí)鐘恢復(fù)電路。

其它特性包括有16KB閃存，2304B RAM，21個(gè)I/O引腳，精度為1.5%的內(nèi)部振蕩器，10位200kSPS(取樣/秒)的ADC，溫度傳感器，UART和用于SMBus和SPI總線(xiàn)的接口。

SiW1712是高度集成的，所有的有源元件都包含在片上，使OEM能得到低的總系統(tǒng)BOM成本。器件還有片上調(diào)試電路，能在系統(tǒng)全速調(diào)試，修改寄存器和存儲(chǔ)器也可提供開(kāi)發(fā)工具。

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