可編DDR I/O組功能適合存儲器技術(shù)所必需時鐘和數(shù)據(jù)同步
發(fā)布時間:2021/10/24 23:10:21 訪問次數(shù):113
兩種存儲器接口解決方案都有Virtex-II和Virtex-II Pro FPGA的強大功能，能在構(gòu)筑高速存儲器接口設(shè)計中所需要的方框圖中提供理想的平臺。
諸如數(shù)字時鐘管理（DCM），數(shù)字控制阻抗（DCI），片上支持HSTL，SSTL和可編 DDR I/O組的功能非常適合于最新一代存儲器技術(shù)所必需的時鐘和數(shù)據(jù)同步。
200MHz DDR SDRAM接口解決方案有自由合成參考設(shè)計，用32位總線得到數(shù)據(jù)速率400Mbps，在控制器總線上提供速率12.8Gbps的數(shù)據(jù)吞吐量。
AlInGaP器件可提供617nm紅光，605nm橙光，588nm黃光，亮度從200到超過1250mcd，630nm紅光的亮度從160到超過800mcd。
LED有120度的視角，熱阻為400度K/W，工作溫度從0度C到100度C。
B3292P/Q系列取得UL和EN認(rèn)證，引線間距有15 mm、22.5 mm和 27.5 mm 共三種，根據(jù)容值的大小，可選擇不同的引線間距。此外，電容的外殼和填充樹脂滿足UL94 V-0的阻燃等級要求。
B3292P/Q系列的典型應(yīng)用是嚴(yán)苛工況和高工作溫度條件下電磁干擾抑制.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
兩種存儲器接口解決方案都有Virtex-II和Virtex-II Pro FPGA的強大功能，能在構(gòu)筑高速存儲器接口設(shè)計中所需要的方框圖中提供理想的平臺。
諸如數(shù)字時鐘管理（DCM），數(shù)字控制阻抗（DCI），片上支持HSTL，SSTL和可編 DDR I/O組的功能非常適合于最新一代存儲器技術(shù)所必需的時鐘和數(shù)據(jù)同步。
200MHz DDR SDRAM接口解決方案有自由合成參考設(shè)計，用32位總線得到數(shù)據(jù)速率400Mbps，在控制器總線上提供速率12.8Gbps的數(shù)據(jù)吞吐量。
AlInGaP器件可提供617nm紅光，605nm橙光，588nm黃光，亮度從200到超過1250mcd，630nm紅光的亮度從160到超過800mcd。
LED有120度的視角，熱阻為400度K/W，工作溫度從0度C到100度C。
B3292P/Q系列取得UL和EN認(rèn)證，引線間距有15 mm、22.5 mm和 27.5 mm 共三種，根據(jù)容值的大小，可選擇不同的引線間距。此外，電容的外殼和填充樹脂滿足UL94 V-0的阻燃等級要求。
B3292P/Q系列的典型應(yīng)用是嚴(yán)苛工況和高工作溫度條件下電磁干擾抑制.
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