空載電流損耗功率小于150mW減少終端設備備用電源需求
發(fā)布時間:2021/10/25 22:53:47 訪問次數(shù):143
工業(yè)設備和通信設備為首的各種電源電路，開發(fā)出針對150V耐壓GaN HEMT*1（以下稱“GaN器件”）的、高達8V的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2技術。
ROHM一直在大力推動業(yè)內(nèi)先進的SiC元器件和各種具有優(yōu)勢的硅元器件的開發(fā)與量產(chǎn)，以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開發(fā)。
此次，ROHM就現(xiàn)有GaN器件長期存在的課題開發(fā)出可以提高柵極-源極間額定電壓的技術，能夠為各種應用提供更廣泛的電源解決方案。
這款AC-DC電源從通用（90-264VAC）輸入提供高達75W的功率，并配有集成AC保險絲、EMC濾波器和保持電容器，從而簡化集成并減少空間。
ASB75系列具有基板冷卻功能，因此能夠在密封金屬外殼中使用被動冷壁冷卻將熱量傳遞到設備外部。還可選擇預裝或單獨提供散熱片，以允許設計者在首選的情況下使用傳統(tǒng)對流或強制空氣冷卻。
ASB75系列的空載電流損耗功率小于150mW，大大減少了終端設備的備用電源需求，使其能夠滿足具有挑戰(zhàn)性的現(xiàn)代效率標準。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
工業(yè)設備和通信設備為首的各種電源電路，開發(fā)出針對150V耐壓GaN HEMT*1（以下稱“GaN器件”）的、高達8V的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2技術。
ROHM一直在大力推動業(yè)內(nèi)先進的SiC元器件和各種具有優(yōu)勢的硅元器件的開發(fā)與量產(chǎn)，以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開發(fā)。
此次，ROHM就現(xiàn)有GaN器件長期存在的課題開發(fā)出可以提高柵極-源極間額定電壓的技術，能夠為各種應用提供更廣泛的電源解決方案。
這款AC-DC電源從通用（90-264VAC）輸入提供高達75W的功率，并配有集成AC保險絲、EMC濾波器和保持電容器，從而簡化集成并減少空間。
ASB75系列具有基板冷卻功能，因此能夠在密封金屬外殼中使用被動冷壁冷卻將熱量傳遞到設備外部。還可選擇預裝或單獨提供散熱片，以允許設計者在首選的情況下使用傳統(tǒng)對流或強制空氣冷卻。
ASB75系列的空載電流損耗功率小于150mW，大大減少了終端設備的備用電源需求，使其能夠滿足具有挑戰(zhàn)性的現(xiàn)代效率標準。
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