40 V、1.6 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管 （eGaN® FET），器件型號為EPC2069，專為設(shè)計人員而設(shè)，EPC2069比目前市場上可選的器件更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應(yīng)用。

增強型硅基氮化鎵功率晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者。新推的EPC2069（典型值為 1.6 mΩ、40 V）是更高性能的低壓器件。

Antaur處理器具有低功耗和有增強性能的熱密度特性(EBGA封裝的高度只有1.5mm)，很適合用在數(shù)字多媒體應(yīng)用中。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 70 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 14 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 65 S

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 35 ns

系列: OptiMOS 3

1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 46 ns

典型接通延遲時間: 25 ns

寬度: 9.25 mm

零件號別名: IPB72N15N3GXT SP000386664 IPB072N15N3GATMA1

單位重量: 4 g

超低功耗32位RX140微控制器（MCU）產(chǎn)品群。作為入門級RX100系列的最新成員，RX140 MCU基于瑞薩強大的RXv2 CPU內(nèi)核構(gòu)建，具有卓越性能。

其最高運行頻率為48MHz，CoreMark評分達(dá)到204；同RX130 MCU產(chǎn)品群相比，可提供約兩倍的處理性能，更將電源效率提升30%以上——當(dāng)CPU處于工作狀態(tài)時，電流低至56μA/MHz。

在待機模式下低至0.25μA。這使得RX140 MCU能夠在家電、工業(yè)和樓宇自動化（BA）等廣泛應(yīng)用中實現(xiàn)高性能和低功耗。

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